材料科学研究方法课件-10深大第十章－X射线电子能谱.pdf

第九章材料表面分析技术  俄歇电子能谱分析（AES ）  X射线光电子能谱分析(XPS)  原子探针显微分析 俄歇电子能谱法  俄歇电子能谱法是用具有一定能量的电子束(或X射线) 激发样品俄歇效应，通过检测俄歇电子的能量和强度， 从而获得有关材料表面化学成分和结构的信息的方法。 利用受激原子俄歇跃迁退激过程发射的俄歇电子对 试样微区的表面成分进行的定性定量分析。 俄歇能谱仪与低能电子衍射仪联用，可进行试样表面成分和晶体结构 分析，因此被称为表面探针。 俄歇电子能谱(AES) •1925年法国的物理学家俄歇（P.Auger）在用X射线研究光电 效应时就已发现俄歇电子，并对现象给予了正确的解释。 •1968年L.A.Harris采用微分电子线路，使俄歇电子能谱开始 进入实用阶段。 •1969年，Palmberg、Bohn和Tracey引进了筒镜能量分析器， 提高了灵敏度和分析速度，使俄歇电子能谱被广泛应用。 俄歇电子能谱的基本机理是：入射电子束或X射线 使原子内层能级电子电离，外层电子产生无辐射俄 歇跃迁，发射俄歇电子，用电子能谱仪在真空中对 它们进行探测。 例：合金钢的回火脆。 疑晶界有杂质富集。 将成分（％）0.32C、0.02P、3.87Ni及2.3Cr的合金钢奥氏体化后， 在396－594℃范围缓冷，产生明显回火脆。断口显示明显的晶间脆断特 征。 电镜几十万倍下观察，未见晶界处任何沉淀析出。故一直未能找到 直接证据，直到使用俄歇能谱仪。 断口表层 距断口表层4.5nm深度处 （采用氩离子喷溅技术逐层剥离） （《材料电子显微分析》P176 图5- 15） 俄歇能谱分析结果表明： 磷在晶界处显著富集，含量高达4.72% ，较基体磷高235倍，而在晶界 两侧急剧下降，在距晶界约4.5nm处已下降到基体水平。 所以，磷元素主要集中在晶界2nm 的范围内，这不是其它微区分析技 术所能测出来的。 （如：普通EPMA 的空间分辨率约为1微米左右） 基本原理 (1)俄歇电子的产生 原子在载能粒子 （电子、离子或中性粒子）或X射线的照射 下，内层电子可能获得足够的能量而电离，并留下空穴 （受激）。 当外层电子跃入内层空位时，将释放多余的能量 （ 退激）释放的方式可以是： 发射X射线 （辐射跃迁退激方式）； 发射第三个电子─ 俄歇电子 （俄歇跃迁退激方式）。 （2 ）俄歇电子的表示 每一俄歇电子的发射都涉及3个电子能级，故常以三壳层符号并列表 示俄歇跃迁和俄歇电子。 KL L L M M L VV 1 1 1 1 1 2, 3 （《材料物理现代研究方法》P183 图7- 1） （3）俄歇过程和俄歇电子能量 俄歇电子 WXY跃迁产生的俄歇电 子的动能可近似地用 经验公式估算，即： E E −E W XY W X −E Y WXY俄歇过程示意图 （3 ）俄歇电子的能量 原则上，俄歇电子动能由原子核外电子跃迁前后的原子系统总能量 的差别算出。常用的一个经验公式为： Z