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功率二极管结构和工作原理 在本征半导体中掺入 P 型和 N 型杂质，其交界处就形成了 PN 结，在 PN 结的两端引出两 个电极，并在外面装上管壳，就成为半导体二极管。如果一杂质半导体和金属形成整流接触， 并在两端引出两个电极，则成为肖特基二极管。 二极管的结构和工作原理： PN 结的形成及二极管的单向导电性描述如下： 如下图 1 所示，对于一块纯净的半导体，如果它的一侧是 P 区，另一侧为 N 区，则在 P 区 和 N 区之间形成一交界面。N 区的多子（电子）向 P 区运动，P 区的多子（空穴）向 N 区 运动，这种由于浓度差异而引起的运动称为“扩散运动”。扩散到 P 区的电子不断地与空 穴复合，同时 P 区的空穴向 N 区扩散，并与 N 区中的电子复合。交界面两侧多子复合的结 果就出现了由不能移动的带电离子组成的“空间电荷区”。N 区一侧出现正离子区，P 区一 侧出现负离子区，正负离子在交界面两侧形成一个内电场。这个内电场对多子的扩散运动起 阻碍作用的同时，又有利于 N 区的少子（空穴）进入 P 区，P 区的少子（电子）进入 N 区， 这种在内电场作用下少子的运动称为“漂移运动”。扩散运动有助于内电场的加强，内电场 的加强将阻碍多子的扩散，而有助于少子的漂移，少子漂移运动的加强又将削弱内电场，又 有助于多子的扩散，最终扩散运动和漂移运动必在一定温度下达到动态平衡。即在单位时间 内 P 区扩散到 N 区的空穴数量等于由 P 区漂移到 N 区的自由电子数量，形成彼此大小相等， 方向相反的漂移电流和扩散电流，交界面的总电流为零。在动态平衡时，交界面两侧缺少载 流子的区域称为“耗尽层“，这就形成了 PN 结。 如图 2 所示，当 PN 结处于正偏，即 P 区接电源正端，N 区接电源负端时，外加电场与 PN 结内电场方向相反，内电场被削弱，耗尽层变宽，打破了 PN 结的平衡状态，使扩散占优势。 多子形成的扩散电流通过回路形成很大的正向电流，此时 PN 结呈现的正向电阻很小，称为 “正向导逋”。当PN 结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂 N 区的欧姆电阻，其阻值较高且为常量，因而管压降随正向电流的上升而增加；当 PN 结上 流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂 N 区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导 体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大 增加，这就是电导调制效应。电导调制效应使得 PN 结在正向电流较大时压降仍然很低，维 持在 1V 左右，所以正向偏置的 PN 结表现为低阻态，为保护 PN 结，通常要在回路中串联 一个限流电阻。 如图 3 所示，当 PN 结处于反偏，即 P 区接电源负端，N 区接电源正端时，外加电场与 PN 结内电场方向相同，内电场被加强，耗尽层变宽，打破了 PN 结的平衡状态，使漂移占优势。 两区的少子在内电场作用下漂移过 PN 结形成了反向电流。因为少子浓度很低，所以反向电 流很小，而且在温度一定时，少子的浓度基本保持恒定，故又称反向电流为反向饱和电流， 用 Is 表示。反偏的 PN 结所呈现的反向电阻很大，称为“反向截止”。 由以上分析可知，PN 结外加正向电压时，表现为正向导通；外加反向电压时，表现为反向 截止，这就是 PN 结的单向导电性。 PN 结具有一定的反向耐压能力，但当施加的反向电压过大，反向电流将会急剧增大，破 坏 PN 结反向偏置为截止的工作状态，这就叫反向击穿。反向击穿按照机理不同有雪崩击穿 和齐纳击穿两种形式。反向击穿发生时，只要外电路中采取了措施，将反向电流限制在一定 范围内，则当反向电压降低后 PN 结仍可恢复原来的状态。但如果反向电流未被限制住，使 得反向电流和反向电压的乘积超过了 PN 结容许的耗散功率，就会因热量散发不出去而导致 PN 结温度上升，直至过热而烧毁，这就是热击穿。 PN 结中的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容 C- ，又称为微分电容。结 电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容 CB 和扩散电容 Cm 势垒电容只在外加电压变 化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与 PN 结截面积 成正比，与阻挡层厚度成反比，而扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时，当正向 电压较低时，势垒电容为主；正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分。结电容影响 PN 结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作，应 用时应加以注意。 在 PN 结的两端引出两个电极，并用管壳封装便就成为二极管