真空镀膜技术基础教学PPT课件.ppt

3.3.1 磁控溅射靶 磁控溅射靶的分类有：同轴圆柱形靶、 圆形平面靶、S-枪靶、矩形平面靶、旋转式 圆柱形靶及特殊结构靶等。 图3-6 各种磁控溅射靶的结构 3.3.2 直流磁控溅射镀膜特点 低温：电子被正交电磁场约束减少了向基片的磁接，降低了基片同电子轰击所产生的热量，使基片温度降，故磁控溅射又称为高速低温溅射。 高速：电子在正交电磁场下增大了运动路程，使电子与工作气体分子磁控几率大大增加从而提高了溅射率，即提高沉积速率。 3.3.2.1 磁控溅射靶电流-电压特性 磁控溅射放电均为低压等离子体放电， 其电流-电压特性基本一致：随着放电电流 的增加，放电电压均需增高；随着气压的增 高，放电电压下降；磁场影响放电特性。 3.3.2.2 沉积速率 沉积速率是表征成膜速度的参数，一般 以单位时间沉积的平均膜厚来表征。影响沉 积速率的因素： 气体压力 靶-基距 靶电流 最大功率密度 靶材料种类 间歇式磁控溅射镀膜机 半连续式磁控溅射镀膜机 连续式磁控溅射镀膜机 3.3.3 磁控溅射镀膜机 磁控溅射镀膜机主要由镀膜室、抽气系统、电控系统、以及辅助设备等组成。其中镀膜室由磁控溅射靶、基片架、烘烤装置、充气系统以及测试监控系统等组成。由于溅射靶及工艺连续性的不同，可分为： 1 底法兰 2 基片架 3 矩形平面靶 4 矩形挡板 5 烘烤装置 6 钟罩 7 同轴圆柱靶 8 圆形平面靶 9 圆形挡板 10 充气系统 11 S枪靶 12 支柱 13 主动转轴 14 密封圈 图3-7 间歇式磁控溅射镀膜机 图2-4 电阻加热式蒸发源——丝状源与箔状源 图2-5 电阻加热式蒸发源——蒸发用坩埚加热器 2.2.2 电子束/枪加热式蒸发源 ---现在应用较多 电子束加热式蒸发源是利用热阴极发射电子 在电场作用下成为高能量密度的电子束直接轰击 到镀料上。电子束的动能转化为热能，使镀料加 热汽化，完成蒸发镀膜。 电子束加热蒸发的优点： （1）电子束加热比电阻加热具有更高的能量密 度，可以蒸发高熔点材料，如W、Mo、 Al2O3等，并可得到较高的蒸发速率； （2）被蒸发材料置于水冷铜坩锅内，可避免坩 埚材料污染，可制备高纯薄膜； （3）电子束蒸发粒子动能大，有利于获得致密、 结合力好的膜层。 电子束加热蒸发的缺点： （1）结构较复杂，设备价格较昂贵； （2）若蒸发源附近的蒸气密度高，电子束流和 蒸气粒子之间会发生相互作用，电子的能 量将散失和轨道偏移；同时引起蒸气和残 余气体的激发和电离，会影响膜层质量。 图2-6 电子束加热式蒸发源—— e型枪工作原理示意图 1 发射体组件 2 阳极 3 电磁线圈 4 水冷坩埚 5 离子收集板 6 电子收集极 7 电子束轨迹 8 正离子轨迹 9 散射电子轨迹 10 等离子体 图2-7 电子束加热式蒸发源——e型枪电子束偏转角 2.2.3 感应加热式蒸发源 ---过去应用较多，现在应用不多 利用高频电磁场感应加热膜材使其汽化蒸发 的装置称为感应加热式蒸发源。 缺点： 不易对输入功率进行微调。 感应加热式蒸发源具有如下特点： 1）蒸发速率大。在卷绕蒸发镀膜中，比电阻加热式蒸发源高10倍左右； 2）蒸发温度均匀稳定，不易产生液滴飞溅现象，提高膜层质量。 3）蒸发源一次装料，无需送丝机构，温度控制比较容易，操作简单。 4）对膜材纯度要求略宽些，可降价膜材的生产成本。 5）坩埚温度较低，坩埚材料对膜层污染较少。 图2-8 感应加热式蒸发源 2.2.4 空心热阴极电子束等离子体蒸发源 ---由于阴极钽管特贵，现在应用不多 特点： 1）形成高密度等离子体放电，通过阴极的气 体可大部分被电离； 2）阴极温度可高达3200 K，电子束的电流密 度高而且可在坩埚上方激发电离膜材的蒸 发原子，其离化率可达20%。 3）基片上加10 ～ 100 V负偏压时可实现金属 离子轰击基片且沉积成膜，因此膜层的附 着强度好； 4）由于在低电压大电流状态下工作，因此较 安全且易于自动控制； 5）阴极寿命长、结构简单。 图2-9 空心阴极等离子体电阻式加热式蒸发源 1.冷却水套 2.空心阴极 3.辅助阳极 4.聚束线圈 5.枪头