TEG设备及量测项目介绍教学PPT课件.pptVIP

  1. 1、本文档共51页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
R_M1_ITO DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_M1_ITO M1 G-layer hole   Pass hole ITO 1.M1阻值异常-薄膜品质, check R_M1 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_M1 2.ITO阻值异常-薄膜品质, check R_ITO 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_ITO 回火制程异常, check R_ITO 3.VIA hole profile不佳-check PAD pattern 1200,1300,1400 5200,5300,5400, 5880 4200,4300,4400 a a a a R_M2_ITO DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_M2_ITO     M2 Pass hole ITO 1.M2阻值异常- 薄膜品质, check R_M2 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_M2 2.ITO阻值异常- 薄膜品质, check R_ITO 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_ITO 回火制程异常, check R_ITO 3.VIA hole profile不佳-check PAD pattern 3200,3300,3400 5200,5300,5400, 5880 2200,4200,4300, 4400 a a a a R_M2_PRO DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_M2_Pro     M2   ITO 1.ITO薄膜异常-沉积, check R_ITO 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_ITO profile 2.回火制程异常 3.check PAD接点, 可能因为M2剖面Profile不佳导 致ITO断线 5200, 5300,5400, 5880 3400 利用ITO覆盖M2层,用来评断M2的蚀刻后profile是否过陡而导致阶梯效应,而使ITO断线。 R_Si DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_SI   GIN M2     1.M2阻值异常-薄膜品质, check R_M2 2.GIN沉积异常, check C(+/- 20) 3.GIN profile不佳-check C(+/- 20) pattern 3200,3300,3400 2200 2400 将TFT组件视为开关,则期望VG电压小于VTH时组件的呈现高阻抗。本项可检测IN层沉积时是否有杂质混入而导致阻抗降低。 C(±20) DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 C(± 20) M1 GIN M2     1.M2阻值异常-薄膜品质, check R_M2 2.GIN沉积异常, check R_SI 3.GIN profile不佳-check R_SI pattern 3200,3300,3400 2200 2400 M2 IN G M1 VG0 V=0 -------------------- +++++++++++++++++++ C=C(G-SiNx) M2 IN G M1 VG0 V=0 C=C(GIN) + + + + + + + -------------------- + + + + + + + + + + + + + + ET item-组件特性 Vth: threshold voltage, 以I(6)与I(8)之斜率对I(7)做切线, 与 Id =0之切点电压值(VD=10V)。 UL0.5, US10: VD =0.5V(线性区)与10V(饱和区)时的electron mobility。 I(8), I(21): VG =8V与21V, VD =10V时的Id值。 R_TFT : VD =0.5V, VG=8V时TFT的channel阻值。 I(-2), I(-6), I(-10), I(-15), I(-25): VG

文档评论(0)

liuxing044 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档