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目录 上页 下页 结束 DRAM 4116 的刷新 T RC T CRP T RAS 高阻 T ASR T RAH 行地址 地址 D IN CAS RAS 采用“仅行地址有效”方法刷新 ? 行地址选通 RAS* 有效，传送行地址 ? 列地址选通 CAS* 无效，没有列地址 ? 芯片内部实现一行存储单元的刷新 ? 没有数据从数据线输出 ? 存储系统中所有芯片同时进行刷新 ? DRAM 必须每隔固定时间就刷新 目录 上页 下页 结束 DRAM 芯片 2164 ? 存储容量为 64K × 1 ? 16 个引脚： 8 根地址线 A 7 ～ A 0 1 根数据输入线 D IN 1 根数据输出线 D OUT 行地址选通 -RAS 列地址选通 -CAS 读写控制 -WE NC D IN -WE -RAS A 0 A 2 A 1 GND V SS -CAS D OUT A 6 A 3 A 4 A 5 A 7 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 目录 上页 下页 结束 5.3 只读存储器 ROM ? 掩膜 ROM ： 信息制作在芯片中，不可更改 ? PROM ：允许一次编程，此后不可更改 ? EPROM ：用紫外光擦除，擦除后可编程；并 允许用户多次擦除和编程 ? EEPROM （ E 2 PROM ）：采用加电方法在线 进行擦除和编程，也可多次擦写 ? Flash Memory （闪存）：能够快速擦写的 EEPROM ，但只能按块（ Block ）进行擦除 目录 上页 下页 结束 EPROM EPROM 2716 EPROM 2764 EEPROM EEPROM 2717A EEPROM 2864A 典型 EPROM 、 EEPROM 芯片介绍 目录 上页 下页 结束 5.3.2 可擦可编程只读存储器 EPROM ? 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫 外线透过擦除原有信息 ? 一般使用专门的编程器（烧写器）进行 编程 ? 编程后，应该贴上不透光封条 ? 出厂未编程前，每个基本存储单元都是 信息 1 ? 编程就是将某些单元写入信息 0 第 5 章 半导体存储器 5.3 只读存储器 5.4 内存管理 5.5 例题解析 5.2 随机读写存储器 5.1 概述 目录 上页 下页 结束 5.1 概述 ? 微型计算机的存储结构 寄存器 —— 位于 CPU 中 主存 —— 由半导体存储器 (ROM/RAM) 构成 辅存 —— 指磁盘、磁带、磁鼓、 光盘等大容量存储器，采用 磁、光原理工作 高速缓存 (CACHE) —— 由静 态 RAM 芯片构成 ? 本章介绍半导体存储器及组成 主存的方法 CPU （寄存器） CACHE （高速缓存） 主存（内存） 辅存（外存） 目录 上页 下页 结束 5.1.1 存储器的分类 ? （可按存储介质不同、存取方式不同、作 用不同来分类）对于半导体存储器分类， ? 按制造工艺分类 双极型： 速度快 、集成度低、功耗大 MOS 型：速度慢、集成度高、 功耗低 ? 按使用属性分类 随机存取存储器 RAM ： 可读可写 、断电丢失 只读存储器 ROM ： 只读 、 断电不丢失 目录 上页 下页 结束 图 5.1 半导体存储器的分类 半导体 存储器 只读存储器 （ ROM ） 随机存取存储器 （ RAM ） 静态 RAM （ SRAM ） 动态 RAM （ DRAM ） 非易失 RAM （ NVRAM ） 掩膜式 ROM 一次性可编程 ROM （ PROM ） 紫外线擦除可编程 ROM （ EPROM ） 电擦除可编程 ROM （ EEPROM ） 目录 上页 下页 结束 5.1.2 存储器的性能指标 1. 存储器容量 存储 1 位二进制信息的单元称为 1 个存储元。对于 32MB 的存储器，其内部有 32M × 8bit 个存储元。存储器芯片多为× 8 结构，称为字节单元 。 在标定存储器容量时，经常同时标出存储单元的数目和每个存储单元包含的位数： 存储器芯片容量 = 单元数×位数 例如， Intel 2114 芯片容量为 1K × 4 位， 6264 为 8K × 8 位。 虽然微型计算机的字长已经达到 16 位、 32 位甚至 64 位，但其内存仍以一个字节为 一个单元，不过在这种微型机中，一次可同时对 2 、 4 、 8 个单元进行访问。 2. 存取周期 存储器的存取周期是指从接收到地址，到实现一次完整的读出或写入数据的时间， 是存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔。 3. 功耗 半导体存储器属于大规模集成电路，集成度高，体积小，但是不易散热，因此在 保证速度的前提下应尽量减小功耗。一般而言， MOS 型存储器的功耗小于相同容量的双 极型存储器。例如上述