模拟电子技术第2章半导体二极管及其应用B.docxVIP

第 2 章 半导体器件基础 2.1 教学基本要求 主要知识点 教学基本要求 熟练掌握 正确理解 一般了解 半导体基础知识 本征半导体，掺杂半导体 √ PN 结的形成 √ PN 结的单向导电性 √ PN 结的电容效应 √ 半导体二极管 二极管的结构及类型 √ 二极管的伏安特性及主要参数 √ √ 二极管的应用（整流和限幅） √ 硅稳压管的伏安特性、主要参数 √ 硅稳压管稳压电路 √ 光电二极管，变容二极管 √ 晶体管三极管 晶体管的结构及其工作原理 √ 电流分配与放大作用 √ 晶体管的工作原理、伏安特性及 √ 主要参数 场效应管的结构与类型 √ 场效应管 场效应管的工作原理 √ 场效应管的伏安特性及主要参数 √ 场效应管放大器的结构 √ 2.2 重点和难点 一、重点 1．理解 PN 结的形成和特点。 2．理解 PN 结的单向导电性、半导体二极管的伏安特性。 二、难点 1．正确理解 PN 结的组成及其工作原理。 2．正确理解二极管 (包括稳压管 )的伏安特性和特点。 2.3 知识要点 什么是半导体 N 型和 P 型半导体 1． 半导体与 PN 结 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 PN 结的伏安特性 二极管的结构及分类 二极管的伏安特性 2． 半导体二极管及其应用 主要参数 等效电路 3． 特殊二极管 4． 双极型晶体管 5． 结型场效应管  二极管的应用 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 晶体管的结构及类型 电流分配及电流放大作用 共发射极特性、工作区域 主要参数 场效应管的结构及类型 场效应管的工作原理 转移特性和输出特性 主要参数 MOS 场效应管的结构及类型 MOS 场效应管的工作原理 6． MOS  场效应管  转移特性和输出特性 主要参数 MOS 场效应管的使用注意事项 2.4 主要内容 2.4.1 半导体及其特性 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间， 故称为半导体， 典型的半导体材料有硅 （ Si）、锗（Ge）、 硒（ Se）、砷化镓（ GaAs）及许多金属氧化物和金属硫化物等。半导体具有以下特性： 1）热敏特性：当半导体受热时，电阻率会发生变化，利用这个特性制成热敏电阻。 2）光敏特性：当半导体受到光照时，电阻率会发生改变，利用这个特性制成光敏器件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。 （ 3）杂敏特性： 当在纯净的半导体中掺入微量的其它杂质元素 (如磷、 硼等 ) 时，其导电能力会显 著增加，利用这个特性制成半导体器件，如半导体二极管、半导体三极管、场效应管、晶闸管等等。 2.4.2 本征半导体 1．本征半导体 具有晶体结构的纯净半导体称为本征半导体。最常用的半导体材料为硅（ Si）和锗（ Se）。 2．半导体的共价键结构 在硅或锗的本征半导体中，由于原子排列整齐和紧密，原来属于某个原子的价电子，可以和相 邻原子所共有，形成共价键结构。图 2-1 所示为硅和锗共价键的 (平面 )示意图。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 自由 价电子 空穴 电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅或锗的 原子核 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图2-1 共价键结构示意图 图2-2 自由电子和空穴的形成 3．载流子 在绝对零度和未获得外加能量时，半导体不具备导电能力。但由于共价键中的电子为原子核最 外层电子，在温度升高或者外界供给能量下最外层电子容易被热激发成为自由电子，如图 2-2 所示。 共价键失去电子后留下的空位称为 空穴 ，电子和空穴成对出现，称为载流子 。空穴参与导电是半导 体导电的特点，也是与导体导电最根本的区别。 2.4.3 N 型半导体和 P 型半导体 为了提高本征半导体导电能力， 应增加载流子的数目， 在本征半导体中掺入微量的其它元素 （称 为掺杂），形成杂质半导体。 1． N 型半导体 如果在硅或锗的本征半导体中掺入微量的 5 价元素（如磷）后，其自由电子数目远远大于空穴数目，故这种半导体称为 N 型电子半导体，简称 N 型半导体。 N 型半导体中自由电子为多数载流子（多子），空穴为少数载流子（少子） ，磷原子称为 施主杂质 。而且多数载流子决定于掺杂浓度，少 数载流子取决于温度。 2． P 型半导体 如果在硅或锗的本征半导体中掺入微量的 3 价硼（ B ）元素，则形成 P 型半导体。在 P 型半导 体中，空穴的数量远远大于自由电子数，空穴为多数载流子， 自由电子为少数载流子，故 P 型半导体也称为空穴半导体，硼 (a) 原子称为 受主杂质 。 无论是 N 型半导体还是 P 型半导体，尽管有一种载流子占 多数，但整体上仍然是电中性的。 2.4.4 PN 结及其单向导电性 PN 结的形成 利用特殊的制造工艺，在一块本征半导体（硅或锗）上，  (b) (c