a4习2:静电场中导体和电介质-周青军.docxVIP

a4习2:静电场中导体和电介质-周青军.docx

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PAGE PAGE # 第二部分期末复习题:静电场中导体和电介质 7为去年考试题:答案为(D) 5为去年考试题:答案为(2U/3) 7.[ ]一个未带电的空腔导体球壳,内半径为在腔内离球心的距离为〃处(水次人周定 电量为+q的点电荷,用导线把球壳接地际,再把地线撇去。选尢穷远处为电协冬点,则球心。处的电 势为 (A) 0 (B) 」— 4庇 (B) _ (D) q (丄-丄) 4/ef ° # R 5. 一空气平行板电容器.两极板间距为必 充电后板间电压为从 然后将电源断开.在两板间”行地插入一厚度为f的金属板,则板间 电压变成M二 . 4.如图同步43所不,一均匀带电球体一总电荷为+ S 其外部同心地卓一內、外半径分别头—的金愿球花 设无穷 远处为电孙零点.则在球売内半径为厂的严点处的电场强度和电 势为 (B)卜:=0. 图同步4-2-3 F = 0. Lr = 7-^— 4irg°iT 上题答案为D “无限大”均匀带电平面 A,其附近放一与它平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板 B,已知A上的电荷密度为?二, 则在导体板B的两个表面 1和2上的感应电荷面密度为: B、二 r 2 1 1 C、「 ,;-2 D、;- ?] - 2 =0 答案:B 2 2 2、半径分别为R和r的两个金属球,相距很远。用一根细长导线将两球连接在一起并使它们带电。在忽略导线的影响下,两球表 Rr 一厚度为 A、零 面的电荷面密度之比 为: R2r2 「I d的“无限大”均匀带电导体板,电荷面密度为 B、 C、 D、rR 答案:D 匚,则板的两侧离板距离均为 h的两点a,b之间的电势差为() B、 - 2^0 ch C、 ;0 2;「h D、 - 答案:A 一电荷面密度为汀的带电大导体平板,置于电场强度为 E0 ( E0指向右边)的均匀外电场中,并使板面垂直于 E0的方向, 设外电场不因带电平板的引入而受干扰,则板的附近左右两侧的全场强为 a cr E0「r?E0 云 a a B、E0 r?E0 珂 () CT CT C、E° 珂,E°—珂 CT CT E0 …~ , E0 ■ 2客。 2奄 答案:A A,B为两导体大平板,面积均为 小E为() S,平行放置, A板带电荷+Qi, 板带电荷+Q2,如果使B板接地,则AB间电场强度的大 Q1 2 ;°S Q1 - Q2 2 Q1 ■0S Q1 Q2 2;°S 答案:C 6、带电时为qi的导体A移近中性导体 B,在B的近端出现感应电荷 q2,远端出现感应电荷 q3,这时B表面附近 P点的场强为 E =二?,问E是谁的贡献?() A、只是q1的贡献 只是q1, q2,q3的总贡献 —半径为R的簿金属球壳,带电量为-Q,设无穷远处电势为零,,则在球壳内各点的电势 Ui可表示为() Q A、Ui :: —K R 一均匀带电球体,总电量为 为r的P点处的场强和电势为 B、只是q2和q3的贡献 D、只是P点附近面元上电荷的贡献 答案:C Q B、Ui - -K R +Q,其外部同心地罩一内、 () c、U i 外半径分别为 Q Q -K— D、- K Ui 0 R R ri,r2的金属球壳,设无穷远处为电势零点,则在球壳内半径 答案:B E = 4 二;0r 4 二;0r E = 0,U 二 C、E =0,U 二 4叭 E =0,U — 4 啲0「2 答案: 9、平板电容器充电后断开电源,场强为 Eo,现充满相对介电常数为 7的电介质,则其极化强度为() B、 0E0 r 答案: 10、在带电量为+Q的金属球产生的电场中,为测量某点场强 E,在该点引入一带电量为-Q 3的点电荷,测得其受力 F。 则该 点场E的大小为() TOC \o 1-5 \h \z 3F 3F 3F A、E B、E ■ c、E * D、无法判断 答案:B \o Current Document Q Q Q 11、 一带电量为q的导体球壳,内半径为 Ri,外半径为R2,壳内球心处有一电量为 q的点电荷,若以无穷远处为电势零点,则球 壳的电势为() Q Q 「1 1 Q q … 4兀?R2 4兀坯1尺 R2 / 2江名0 2m0R2 当一个带电导体达到静电平衡时() A、表面上电荷密度较大处电势校高。 B、表面曲率较大处电势较高 C、导体内部的电势比导体表面的电势高。 D、导体内任一点与其表面上任一点的电势差等于零 答案:D 13?两个完全相同的电容器 C1和C2,串联后与电源连接,现将一各向同性均匀电介质板插入 C1中,则() A、电容器组总电容减小。 B、C1上的电量大于C2上的电量 C、C1上的电压高于C2上的电压 D、电容器组贮存的总能量增大 答案:D 已知厚度为d的无限大带电导体平板两表面上电荷均匀分布,电荷面密度

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