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- 2021-02-01 发布于天津
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工艺培训总结汇报室高向东双阱工艺一般包括以下层次光刻阱光刻有源区光刻场区光刻多晶光刻源漏光刻源漏光刻孔光刻金属光刻通孔光刻金属光刻钝化光刻其中有源区光刻多晶光刻孔光刻金属光刻通孔光刻金属光刻为关键层次光刻其工艺指标如下卩少口仆少口一对设备材料的基本要求和现有状况对主要设备指标要求如下光刻机轨道现有的轨道步进光刻机已能满足要求光刻基础流程为接收一预处理一涂胶一前烘一曝光一显影一坚膜一送出光刻胶由光敏剂活性剂溶剂和添加剂四部分组成本室采用系列线光刻胶光敏剂采用采用两者比例为可以满足光刻要求光刻测量主
工艺培训总结汇报
室高向东
0.8UMCMOS双阱工艺一般包括以下层次光刻：
（1）N阱光刻（2）：有源区光刻 （3）：场区光刻 （4）：多晶光刻
（5）： N源漏光刻 （6）： P源漏光刻 （7）：孔光刻 （8）：金属1
光刻 （9）：通孔光刻 （10）：金属2光刻 （11）钝化光刻
其中有源区光刻、多晶光刻、孔光刻、金属 1光刻、通孔光刻、金属
2光刻为关键层次光刻.其CD工艺指标如下:
ID
Name
Specificati on.
1
Isla nd mask
DICD=1.5±0.10卩m Alig n to n-well Alig nmen tv ±0.2少口 Profile an
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