少子寿命测试原理.pdfVIP

施美乐博公司上海代表处 2. 原理 2.1 少子寿命测试原理 少子寿命测量方法包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最常用的 注入方法有光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法有很多，如探测电导率 的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，注入和检测方法的不同组合就形成 了多种少子寿命测试方法，如：直流光电导衰减法；高频光电导衰减法；表面光 电压法；微波光电导衰减法等。WT-2000PV 系统采用微波光电导衰减法实现对 少子寿命的测试。 微波光电导衰退法(μ-PCD，Microwave photoconductivity decay)测试少子寿 命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号这两个过程。904nm 的 激光注入（对于硅，注入深度大约为 30μm ）产生电子-空穴对，导致样品电导率 的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数 载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数 载流子的寿命。 μ-PCD测得的寿命值为少子有效寿命，它会受到样品体寿命和表面寿命两个 因素的影响，其关系如下式所示： 1 1 1 =+ （2-1 ） + τ τ τ τ meas bulk diff surf d 2 d 式中：τ ，τ diff π2 D surf 2S n , p τ 为样品测得的有效寿命；τ 为样品体寿命；τ 为少子从样品体内扩散 meas bulk diff 到表面的扩散寿命；τ 为由于样品表面复合产生的表面寿命； d 为样品厚度； surf Dn ，Dp 分别为电子和空穴的扩散系数；S 为表面复合速度。 - 5 - 施美乐博公司上海代表处 Semilab Rt. (China) 上海浦东新区商城路738 号胜康廖氏大厦 1909 （邮编：200120） Tel: +86-21 Fax: +86-21 E-mail: semilab@ Website:// 施美乐博公司上海代表处 图2-1 不同表面复合速率的样品，体寿命和测试寿命的关系 由式（2-1 ）可知，样品表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命， 图2-1为不同表面复合速率的样品，体寿命和测试寿命的关系。 在样品厚度一定的情况下，即扩散寿命一定，如果表面复合速率很大，则在 测试高体寿命样品时，测试寿命值与体寿命值就会偏差很大；而对于低体寿命的 样品，不会使少子寿命降低很多。因此我们需对样品表面进行钝化，降低样品的 表面复合速率。从图2-1我们可以看到，对于表面复合速率S为1cm/s，或10cm/s 的样品，即使其体寿命在1000μs数量级，测试寿命还是与体寿