1二极管基本电路.pptVIP

3.1 半导体的基本知识 3.2 PN 结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力 ( 电阻率 ) 的不同，来划分 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有 硅 Si 和 锗 Ge 以及 砷化镓 GaAs 等。 3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 本征半导体 —— 化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单 晶体形态。 空穴 —— 共价键中的空位。 电子空穴对 —— 由热激发而 产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动 —— 空穴的运动 是靠相邻共价键中的价电子 依次填充空穴来实现的。 由于随机热振动致使共价键被打破而产生 空穴－电子对 ? 空穴是假象的载流子 ? 本征半导体中自由电子和空穴成对产生，浓度相等 n i =n p ? 空穴越多，半导体中的载流子数目越多，电流越大。 ? 空穴的移动方向和电子相反，可以用空穴移动产生的电 流来代表束缚电子移动产生的电流。 ? 热激发温度越高，自由电子和空穴的产生率越高。 ? 载流子的复合率和产生率相等时，达到动态的平衡。 3.1.4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质， 可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质 主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体 称为 杂质半导体 。 N 型半导体 —— 掺入五价杂质元素（如磷）的 半导体。 P 型半导体 —— 掺入三价杂质元素（如硼）的 半导体。 3.1.4 杂质半导体 1. N 型半导体 因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而 多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形 成自由电子。 在 N 型半导体中 自由 电子是多数载流子， 它主要由杂质原 子提供； 空穴是少数载流子， 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子 ， 因此五价杂质原子也称为 施主杂质 。 3.1.4 杂质半导体 2. P 型半导体 因三价杂质原子 在与硅原子形成共价 键时，缺少一个价电 子而在共价键中留下 一个空穴。 在 P 型半导体中 空穴是多数载流子， 它主要由掺杂形成； 自由 电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为 负离子 。三价杂质 因而也称为 受主杂质 。 ? N 型、 P 型半导体整个半导体呈中性； ? 掺杂后载流子的数目都有相当程度的增加，因而掺杂 是提高半导体导电能力的最有效方法。 ? N 型半导体： N D --- 施主原子的浓度 n ----- 总电子的浓度 p ----- 少子空穴的浓度， 则 n=p+N D P: p=n+N A ? 增加施主原子自由电子浓度增加，自由电子与空穴复 合的几率增加，所以空穴的浓度降低。 ? 由于电子和空穴的复合，在一定温度条件下，空穴浓 度和电子浓度的乘积为一常数， pn=p i n i =n i 2