信息产业部电子第五研究所元器件可靠性研究分析中心的电子元器件抗esd技术讲义doc(doc).pdfVIP

第 2 章 制造过程的防静电损伤技术 静电现象是客观存在的，防止静电对元器件损伤的途径只有两条：一是从元器件的设计 和制造上进行抗静电设计和工艺优化，提高元器件内在的抗静电能力；另一方面，就是采取 静电防护措施，使器件在制造、运输和使用过程中尽量避免静电带来的损伤。对元器件的使 用方，包括后工序厂家、电路板、组件制造商以及整机厂商来说，主要甚至只能采取后一种 方法来防止或减少静电对元器件的损害。 2.1 静电防护的作用和意义 为什么要在制造过程中采取防静电控制措施？我们从以下三个方面来说明。 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 多数未采取保护措施的元器件静电放电敏感度都是很低，很多在几百伏的范围，如 MOS 单管在 100-200V 之间，GaAs FET 在 100－300V 之间，而且这些单管是不能增加保护电路的； 一些电路尤其是 CMOS IC 采取了静电保护设计，可虽然以明显的提高抗 ESD 水平，但大多数 也只能达到 2000－4000V，而在实际环境中产生的静电电压则可能达到上万伏（如第 1 章的 表 1.4 和表 1.6。因此，没有防护的元器件很容易受到静电损伤。而且随着元器件尺寸的越 来减小，这种损伤就会越来越多。所以我们说，绝大多数元器件是静电敏感器件，需要在制 造、运输和使用过程中采取防静电保护措施。表 2.1 列出了一些没有静电保护设计器件的静 电放电敏感度。 表 2.1 一些器件的静电敏感度 器件类型 实例 静电敏感度 (单位 kV) MOSFET 3CO、3DO 系列 0.1-0.2 JFET 3CT 系列 0.14-1.0 GaAs FET 0.1-0.3 CMOS CO00、CD400 系列 0.25-2.0 HMOS 6800 系列 0.05-0.5 E/D MOS Z80 系列 0.2-1.0 VMOS 0.03-1.8 ECL 电路 EOOO 系列 0.3-2.5 SCL(可控硅) 0.68-1.0 S-TTL 54S、74S 系列 0.3-2.5 DTL 7400、5400 系列 0.38-7.0 石英及压电晶体 10.0 信息产业部电子第五研究所元器件可靠性研究分析中心 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 电子行业如微电子、光电子的制造和使用厂商因为静电造成的损失和危害是相当严重的。 据美国 1988 年的报道，它们的电子行业中，由于 ESD 的影响，每年的损失达 50 亿美元之多； 据日本统计，它们不合格的电子器件中有 45％是由于静电而引起的；我国每年因静电危害 造成的损失也至少有几千万。图 2.1 是美国 Ti 公司对某一年对客户失效器件原因进行分析 统计的结果，从中可以看到由 EOS/ESD 引起的失效占总数的 47%；图 1.2 是美国半导体可靠 性新闻对 1993 年从制造商、测试方和使用现场得到的 3400 例失效案例进行的统计，从中可 以看到,EOS/ESD 造成的失效也达