sj614-73(半导体三极管总技术条件).docx

半导体三极管总技术条件 SJ614-73 半导体三极管总技术条件为锗、 硅半导体三极管总的要求。 各类半导体管的 电参数、特殊要求和特殊试验，在产品标准中予以规定。 锗、硅半导体三极管，根据不同的使用要求分为一、二、三、四类。本总技 术条件（暂行） 中暂只规定了适用于二类使用要求的锗、 硅半导体三极管总的要 求，适用于三、四类使用要求的锗、 硅半导体三极管总的要求暂可参照 SJ281-66 一级半导体管总技术条件； 适用于一类使用要求的锗、 硅半导体三极管总的要求 暂缺。 本总技术条件分为： 一、 技术要求与试验方法； 二、 检验规则； 三、 标志、包装、运输、贮存； 四、 其他。 技术要求与试验方法 1、 为提高半导体三极管的稳定性和可靠性，生产的各类半导体三极管，应针对 产品工艺特点，必须对全部产品进行合理的、有效的工艺筛选。 2、 半导体三极管的外形尺寸及电极引出线的位置应符合产品标准外形图的规 定。 用通用或专用量具以及外观法检验。 电极引出线的位置在测量电参数的同时 进行检验。 3、 半导体三极管应能防锈蚀。外部涂层不应起泡、脱落，除光电器件外，半导 体三极管应是不透光的。 用外观法检验。 4、半导体三极管的电极引出线应具有足够的机械强度，并牢固的与管身连接。 用引出线抗拉强度试验和引出线弯曲试验来检验。 试验后，半导体三极管引出线 应无断裂现象，引出线和玻璃绝缘子封接处、玻璃绝缘子不应破裂。 ⑴ 引出线抗拉强度试验 将半导体三极管管身固定，轮流在每根引出线上沿轴线方向加静负荷 1.5Kg ，时间 10 秒钟。 直径小于 0.3 毫米的引出线和带状引出线所加负荷的重量在产品标准中规 ⑵ 引出线弯曲试验 将半导体三极管的管身固定，在引出线端部，沿引出线轴线方向加拉力 250 克，然后将管身（或引出线）向同一方向缓慢的弯曲三次，每次弯曲到与引出线 （或管身）轴线成45o角度再回到原位置。 直径小于 0.3 毫米的引出线和带状引出线的弯曲试验方法在产品标准中规 定。 直径大于 0.8 毫米的引出线和插入式的引出线不进行此项试验。 对于籍助于锡焊接连接的半导体三极管，引出线应易于焊接。 用引出线易焊性试验进行检验。 将半导体三极管的引出线沾泡和松香酒精溶液后，浸入温度为 230-260 C的 39 锡铅焊料溶液中，浸入后锡液面距引出线根部距离为 4±1 毫米。时间：大功 率管 8-10 秒钟，小功率管为 3-5 秒钟。取出后检查，锡的沾润应良好，沾锡面 积不小于 90%。 半导体三极管的结构应牢固，在下列机械力的作用下，其结构应完整，不应 发生电极短路或断路现象， 且每项试验后， 产品标准规定的考核参数仍应符合规 范表的规定。 （1）振动试验 将半导体三极管的管身紧固在振动台上， 引出线允许加以适当的保护， 其振 动规范是： 振动频率： 50±10 赫； 振动加速度： 10±1g； 振动方向：水平（与管身轴线平行）与垂直（与管身轴线垂直）两个方向。 振动时间：两个方向，每一个方向 1 小时。 （2）冲击试验 将半导体三极管的管身紧固在冲击台上， 引出线允许加以适当的保护， 其冲 击规范是： 冲击频率： 50±10次/ 分； 冲击加速度： 100±10g； 冲击方向：水平和垂直两个方向； 冲击次数：两个方向，每个方向 1000 次。 （3） 变频振动试验 将半导体三极管的管身紧固在振动台上， 引出线允许加以适当的保护， 其振 动规范是： 振动频率： 50-2000 赫； 振动加速度： 10±1g； 变频速度：按对数方式变频，从 50-2000 赫，再由 2000-50 赫为一次，扫描 一次的时间为 20± 2 分钟 振动方向：水平和垂直两个方向； 振动时间：两个方向，每一方向 2 次。 瞬时短断路试验 用瞬时短断路检验仪检查，半导体三极管应无瞬时短断路现象 温度循环试验 将非工作状态的半导体三极管先后置于低温和高温箱中， 共进行5次循环，每次 循环的次序及规范如下表: 顺序 温度 时间 1 -55 ± 3C 30分 2 锗管70±3C 硅管125± 3C 30分 高低温转换时间小于1分钟 半导体三极管放入低温或高温箱后， 若低温或高温箱的温度发生变化，则必 须在表中规定的时间内达到其规定的温度。 试验后，在正常气候下（温度 20 ± 5C,气压750 ± 30mmHg目对湿度65 ± 15%放置2小时，然后在4小时内测完电参数。产品标准规定的考核参数仍应 符合规范表的规定。 加速潮热试验 将非工作状态下的半导体三极管，置于温度按下图变化的潮热箱内，进行 72小时试验。试验后，从潮热箱中取出，用棉纱布擦干表面凝结的水汽，在正 常气候下放置2小时，观察其表面，然后在4小时内测完电参数。此时，表面不 应有锈蚀，涂层不应起泡，脱落。产