2电磁场基本方程.docx

第2章电磁场基本方程 2.1 / 2.1-1设空气中有一半径为 a的电子云，其中均匀充满着密度为 p v的电荷。试求球内 (ra)和球外(ra)任意点处的电通密度 D和电场强度E及D和〒E。 ［解］应用高斯定理，取半径为r的同心球面为高斯面 2 ■ D ds = D r?4 r:r v dv s 1)ra: 1) ra: P r —— P r P r —— P r ；:r 2) ra: p, z 4dv v — ■■: a 3 一 pa3 D = r? v 2.2 / 2.1-2 2.2 / 2.1-2设空气中内半径 a、 外半径b的球壳区域内均分布着体密度为 p v的电荷。试求 以下三个区域的电场强度 E、 、 E 及、 E : (a)ra; (b)arb ; (c)rb. ［解］ 应用高斯定理，取半径为r的同心球面为高斯面 D dS = D ?4二r 2 ： I ■；dv L ■v s (a) ra: i ^dv = 0 v V ，E =0,可 ^E =0 (b) arb: (b) arb: - p.D 二 - p .D 二 1?一2 3r _ p 3 3 v / 3 3 -a , E 二 r? 7 r -a3%r -a3 (c) rb:4彳3iFvdv=》v b —a (c) rb: 4彳3 iFvdv=》v b —a v 3 .D b3 -a3 ,E 3 ；°r b3 I E =0,1 E =0 / 2.1-3 一半径等于3cm的导体球，处于相对介电常数 e r=2.5的电介质中，已知离球心 r=2m处的电场强度 E=1mv/m，求导体球所带电量 Q。 ［解］由高斯定理知，；E 4二r2 = Q 2.5 10_3 2.5 10 _3 12 — = 1.11 X10 一 C / 2.1-4 一硬同轴线内导体半径为 a / 2.1-4 一硬同轴线内导体半径为 a,外导体内外半径分 别为b、c，中间介质为空气（题图 2-1）。当内外导体分别 通过直流I和-I时，求：（a）内导体（Pa）; （b）内外导体之 间（a pb）； （c）外导体中（bpc）三个区域的H、B和 ?：/H、 、 B 。 应用安培环路定律, ■ H dl =H 2二「2：\aI.0「 ■ H dl =H 2二「 2 ：\a I .0「d「d : 2 II 2a 题图2-1同轴线横截面图 P I 2na (b) a ::: r ::: b : H 2 ：：二 I 2： i 、、H01汩：0H 2Y - I二 c2 -b22 2c- r2 22^- c -b—c2jiP、、 、、H 0 1汩： 0 H 2Y - I 二 c2 -b2 2 2 c- r 2 2 2^- c -b —c 2jiP 、、H 七1 P cP i2n 2 c 2 c p2、 2—b丿 、B 2 、2 c - ~2 ~2 c - b 2 - r -b2 -I 2 2c -b / 2.2-1 一矩形线圈与载有电流I的直导线同平面，如题图 2-2所示。求下述情况下线圈的感应电动势： 线圈静止，1=1 os in? t; 线圈以速度v向右边滑动，I=Io。 ［解］(a)应用安培环路定律, ：H dl = I, H 2卞-I l ?」，B = ?丄 2 2 7：： ? c .1 o - -sd 、 Al ,C 严 dl Wc a b Bd : dz dz In 题图2-2载流直导线与矩形线圈 2 兀 ‘0 La P 2 二 a d J m d | ? a b vt 10c In dt dt》2二 a vt 」 b a - ■ a 卩 1 v(a +vt )-v(a + b + vt ) —10c — 2 - a b vt a vt a vt 4 vb I o c — 2 点 ?a b vt a vt / 2.2-2 一平行板电容器由两块导体圆片构成，圆片半径为 a,间距为d, da，其间填充 介电常数为、磁导率为o的介质。在电容器中心加一正弦电压 U=Uosin?t。(a) 求介质中的电场强度和磁场强度； （b） 求介质中的电场强度和磁场强度； （b）求介质中位移电流总值，并证明匕寺于电容 器的充电电流；（c）设介质电导率为6,求介质中传导电流与位移电流之比。 3 6 若￡ r=5.5, 6 =10-S/m , f=3X10H z,此比值多大？ 些 si n .t,Ed 些 si n .t,E d 二？女 sin d ■t ；:D ；.■/. U 0 .:t d ■- H dl = ■- H dl = si 、2 =J1P (b)2 ftI d = Jd (b) 2 ft I d = JdS=「:a cxP - u 0 cos ，t, H 2d =? U 0 cos ■ t 2