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? 31 ? 第四章 常用半导体器件原理 31 晶体管各极电流关系 C E B I I I ? ? B C I I ? ? B E ) 1 ( I I ? ? ? E C I I ? ? E B ) 1 ( I I ? ? ? B C E I I I ? ? ? 描述： ? 描述： b c e b c e I B I C I E I B I C I E 谢谢您的观赏 2017-7-24 ? 32 ? 第四章 常用半导体器件原理 32 2.4.2 晶体管的伏安特性 一、输出特性 0 5 10 15 20 u CE (V) i C (mA) I B ? 0 30 ? A 20 ? A 10 ? A I B ? 40 ? A 临界饱和线 放 大 区 饱 和 区 截止区 1 2 3 4 放大区 ( 发射结正偏，集电结反偏 ) 共发射极交流电流放大倍数： 共基极交流电流放大倍数： 近似关系： 恒流输出 和 基调效应 饱和区 ( 发射结正偏，集电结正偏 ) 饱和压降 u CE(sat) 截止区 ( 发射结反偏，集电结反偏 ) 各 极电流绝对值很小 B C i i ? ? ? ? E C i i ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 谢谢您的观赏 2017-7-24 ? 33 ? 第四章 常用半导体器件原理 33 二、输入特性 0 u BE (V) i B ( ? A) 30 60 90 0.5 0.6 0.7 U BE(on) B 9 6 3 当 u BE 大于导通电压 U BE(on) 时，晶体管导通， 即处于放大状态或饱和状 态。这两种状态下 u BE 近 似等于 U BE(on) ，所以也可 以认为 U BE(on) 是导通的晶 体管输入端固定的管压降； 当 u BE U BE(on) 时，晶体 管进入截止状态。 晶体管电流方程： T U u e I i i BE S C E ? ? 谢谢您的观赏 2017-7-24 ? 34 ? 第四章 常用半导体器件原理 34 2.4.3 晶体管的近似伏安特性和简化直流模型 0 u CE i C I III II 0 u BE i B III I ， II U CE(sat) U BE(on) I B U BE(on) b c e B I ? I U BE(on) b c e b c e II III U CE(sat) 近似伏安特性 简化直流模型 I —— 放大区 II —— 饱和区 III —— 截止区 谢谢您的观赏 2017-7-24 ? 35 ? 第四章 常用半导体器件原理 35 2.4.4 直流偏置下晶体管的工作状态分析 确定直流偏置下晶体管工作状态的基本步骤： 1 ．根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。如果发射结 反偏或正偏电压不到 | U BE(on) | ，则晶体管处于截止状态， I B 、 I C 和 I E 均 为零，再由外电路计算极间电压 U BE 、 U CE 和 U CB ； 2 ．如果第 1 步判断发射结正偏电压达到 | U BE(on) | ，则晶体管处于放 大状态或饱和状态，再判断集电结是正偏还是反偏。如果集电结反偏， 则晶体管处于放大状态，这时 U BE = U BE(on) 。根据外电路和 U BE(on) 计算 I B ，接下来 I C = ? I B ， I E = I B + I C 。再由这三个极电流和外电路计算 U CE 和 U CB ； 3 ．如果第 2 步判断集电结正偏，则晶体管处于饱和状态。这时 U BE = U BE(on) ， U CE = U CE(sat) ， U CB = U CE - U BE ，再由这三个极间电压和外 电路计算 I B 、 I C 和