功率场效应管驱动电路的研究.docx

功率场效应管驱动电路的研究 原载：《电气开关》2002年NO.2 刘星平 (湖南工程学院,湖南 长沙 411101) 摘要：探讨了功率场效用管(MO SFET )的栅极驱动问题，总结了三种在实际中很有应用 价值的栅极驱动 电路。 关键词：功率场效应管；栅极驱动 中图分类号：TN 386 文献标识码:B In vest igat ion on Pow erMO SFFT SnG aCrCU rtiv L IU X ing - p ing (Hunan In st itu te of Engin eeri ng, Xia ngta n Hunan 411101 Ch ina) A b st ract: Th is paper in vest igates the quest ion on gate driv ing of pow er MO SFET , summ arizes th ree species gate drivi ng circu it s,w h ich are valuab le in p ract ice. Key wo rds: pow erMO SFET; gate driving 前言 功率场控制器件泛指一切用电压信号控制工作电流的电力电子器件。 这类器件的基本特点是 输入阻抗极高，因而所需驱动功率很小 ，而且大多数器件在控制信号撤除之后即会自行关 断，是一种高性能的自关断器件。与各种双极型电力电子器件相比 ，功率MOSFET从原理 到性能都有很多独特之处。 在电力电子电路中充分利用和发挥这些特长 ,可把电力电子技术 推入一个新的阶段。功率 MOSFET在线性放大和功率开关等方面的应用正在向深度和广度 迅速发展，各种新颖电路不断问世。这里仅就栅极驱动方面的问题进行探讨。 关于驱动电路的有关问题 MO SFET管工作在高频时，为了防止振荡，有两点必须注意：第一，尽可能减少 MOSFET各端点的连接线长度，特别是栅极引线，如果无法使引线缩短，则可按图1所示, 靠近栅极处串联一个小电阻以便控制寄生振荡 ；第二，由于MO SFET的输入阻抗高，驱动 电源的阻抗必须比较低,以避免正反馈所引起的振荡 ，特别是 MO SFET的直流输入阻抗非 常高，但它的交流输入阻抗是随频率而改变的 ，因此MO SFET的驱动波形的上升和下降时 间与驱动脉冲发生器阻抗有关。 另外,MO SFET的栅一源极间的硅氧化层的耐压是有限的 ，如果实际的电压数值超过元件的 额定值，则就会被击穿，产生永久性的损坏。实际的栅 一源电压最大值在 20?30V之间。 值得指出的是，即使实际电压为 20V ,仍然要细致分析一下是否会出现由于寄生电感引起 的电压快速上升的尖峰，引起击穿MOSFET的硅氧化层问题。 图1 MO SFET工作在共源极的电路图 图2 用TTL驱动功率场效应管的电路图 图2用TIL鞭动功率场效应管的电路图 3实用的驱动电路 3. 1 直接驱动式 比较简单又比较可靠的驱动方式是使用集电极开路的 TTL按图2所示与功率 MO SFET连 接。这种方式可以产生足够高的栅压使器件充分导通 ，并保证较高的关断速度。 由于外接负 载电阻RL须有一定大小，以限制TTL的低电平输出晶体管的功率耗散 ，因而这种驱动方式 的开通速度不够高。不过，对感性负载的开关电路来说 ，出于对动态损耗的考虑，关断速度 的重要性就是要强一些。 图3所示的两种TTL驱动方式也是使用集电极 开路的TTL，但在TTL与功率MO SFET之间加了附属电路。 图3 (a)所示的驱动方式是对 简易方式的一种初步改进，它不但能降低TTL器件的功率耗散，也能保证较高的开通速度。 图3 (b)所示的驱动方式可进一步改善驱动性能 ，不但关断时间可以进一步缩短 ，开通时间 与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时 ，在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着 射极跟随器的作用，因而功率MO SFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱 动功率，这种方式更适合于大功率 MO SFET的驱动。 图3用TTL驱动功率场效应管的两种改进电路图 图4 用CMOS驱动功率场效应管的电路图 圏3 ffl TTL腮动吠阳场效应件的两种改蓬电路图9+iev图」ftl CMOS 动功牽场效应轉前电骂 圏3 ffl TTL腮动吠阳场效应件的两种改蓬电路图 9+iev 3. 2 用CMO S传输门驱动 由于MO SFET有很高的输入阻抗，所以可考虑用 CMO S电路直接驱动其栅极，如图4所 示。直接使用CMOS驱动功率 MOSFET的优点是两者都可以用 10?15V电源供电。为了 保证功率MOSFET在传导逐渐上升的连续电流时工作在线性区 ，至少要使其栅压超过 10V。 CMOS也可用10?15V电源