电工电子技术 电工电子技术 1.1 半导体基础知识.ppt

电子系统远信号 模拟信号和数字信号 数字信号 半导体二极管及基本电路 半导体的基本知识 半导体的原子结构 半导体的共价键结构 本征半导体 电子空穴对 本征半导体 杂质半导体 P型半导体（空穴型半导体） 半导体的特性： PN结的形成及特性 PN结的形成 PN结的单向导电性 * 电子系统与信号 电子系统 由基本电路组成的具有特定功能的电路整体。 信号 信号是信息的载体。 声音信号——传达语言、音乐或其它信息。 图像信号——传达人类视觉系统能接受的图像信息。 信号源等效电路 0 f(t) t 模拟信号和数字信号 模拟信号 在时间和幅度上都是连续变化的，在一定动态范围内可取任意值。 模拟电路 处理模拟信号的电路。 0 f(t) t t1 t3 t5 t2 t4 ... 1.时间离散，幅度连续； 0 f(t) t t1 t3 t5 t2 t4 ... 2.时间离散，幅度离散； 0 f(t) t t1 t3 t5 t2 t4 ... 3.时间连续，幅度离散； 由数字信号处理电路 数字信号只存在高低两种电平的相互转化。 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 半导体二极管 特殊二极管 ★二极管基本电路分析 本征半导体 杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的基本知识 半导体的电阻率为10-3~109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特点： 1）导电能力不同于导体、绝缘体； 2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化（光敏性、热敏性）——光敏元件、热敏元件(负温度系数）； 3）掺进微量杂质（可掺杂性），导电能力显著增加——半导体。 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。 返回 半导体的原子结构示意图 （a）硅原子；（b）锗原子；（c）简化模型 硅和锗在原子最外层轨道上的四个价电子，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。 原子按一定规律整齐排列，形成晶体点阵，半导体一般都具有这种晶体结构，也称晶体（制作的元件也称晶体管），如图为： +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 返回 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 本征激发 动画1-1 空穴 返回 本征半导体—高度纯净的、结构完整的半导体晶体。 当温度升高或受到光的照射时，本征半导体的价电子吸收能量，有的价电子可以挣脱共价健的束缚，成为自由电子——本征激发。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，这个空位为空穴。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 在半导体中，自由电子如果和空穴相遇，可能放出吸收的能量而填充到空穴中去——复合。 本征激发 动画1-1 空穴 返回 激发和复合总是在半导体中不断进行，在一定环境下，达到动态平衡 电导率——与材料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。 返回 载流子——运载电荷的粒子。 半导体中自由电子和空穴都是载流子 总之，本征半导体内自由电子和空穴总是成对出现，因此在任何时候，本征半导体内自由电子和空穴数总是相等的 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 N型半导体（电子型半导体） 在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑 ) 多余电子， 成为自由电子 +5 自由电子 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 返回 +5 N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si 硅或锗 +少量磷? N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 在本征半导体中掺入三价的元素（硼） +3 空穴 空穴 返回 空穴 P型半导体 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被认为带一个单位的正电