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Array 制程、 TFT 等效电路介绍 Prepared by: update: 2012 ／ 11 ／ 28 IVO Confidential Array 制程 素玻璃 重 复 五 次 （ 五 层 膜 ） 成膜 上光阻 统称黄光 剥膜 蚀刻 显影 曝光 基板测试 OK NG 进行维修 送至 Cell 厂 IVO Confidential TFT 各层名称 S 电极 P-SINx D 电极 ITO 电极 第三层 第四层 第三层 第二层 第五层 Gate 电极 第一层 玻璃基板 (Glass) GIN – a-Si GIN – N+a-Si GIN - SINx GI - SINx IVO Confidential 工艺流程 Light Photo Resist Photo Mask Photo Resist Thin Film Thin Film Glass Glass 曝光 成膜 显 影 蚀 刻 IVO Confidential 剥 膜 TFT 等效电路 Gate 线（栅 线 / 闸线 / 扫 描线） G( 栅电 极或闸 极 ) Gate 有源层 a - Si G( 栅电极或闸极 ) Gate Data 线 ( 信号线 / 数据线 ) = Cs 储存电容 S( 源电极 ) Source D( 漏电极 ) Drain S( 源电极 ) Source Clc D( 漏电极 ) Drain 液晶电容 扫描线控制 TFT 的栅极，来决定 TFT 是否选通，源信号线连接 TFT 的源极 对液晶电容进行充电。当加在 G 极和 S 极的电压 Vgs 大于阀值电压 Vth 时， 源极和漏极导通，液晶电容充电， 达到显示效果；当 Vgs 小于阀值电 压 Vth 的时候， TFT 开关断开，液晶 电容保持充电电压到下一扫描周期。 IVO Confidential Array 5PEP 制程简述 1 PEP : Gate 电极与 Cs(common) 线 2 PEP : a - Si 岛 (Island) 3 PEP : 源 / 漏 (S/D) 电极 4 PEP : 钝化保护层 P-SiNx 5 PEP : 象素电极 ITO IVO Confidential 1 PEP : Gate 电极与 Cs (Common) 线 （即 G 线和 Com 线） IVO Confidential 1PEP 俯视图 后续所有剖面图 是从此处剖开 Common 线 Gate 线 IVO Confidential 1 PEP 剖面图 1. 金属膜材料 : AL-Nd/Mo 2. 成膜方式 : 溅射 (PVD) 3. 刻蚀方式 : 湿蚀刻 4. 作用：扫描电极， 控制“开关” 的导通或断开。 PVD ：物理气象沉积，即非化学反应成膜。 Gate 线 玻璃基板 IVO Confidential 1PEP 剖面图（ 2 ） Gate 线 Common 线 IVO Confidential 等效电路 G 线，对应剖面图中如下位置： 扫描线 G( 栅电极或闸极 ) Gate 电极 Common 线，对应剖面图中如下位置： Cs IVO Confidential 2 PEP : a-si 岛 (Island) （ TFT 的主要工作层） （起到“开关”的作用） IVO Confidential 2PEP 俯视图 IVO Confidential 2 PEP 剖面图 1 、非金属膜 : 栅绝缘膜 SiNx ; 半导体 层 a-Si ; 欧姆接触层 N+ a-Si 2 、成膜方式 : 等离子 CVD （ PECVD ） 3 、刻蚀方式 : 干蚀刻 4 、作用： TFT 的工作层（有源层） 等效电路中的“开关” GIN – N+a-Si CVD ：化学气象沉积，即化学反应方式成膜 GIN - a-Si GIN-SiNx GI-SiNx IVO Confidential 2PEP 下面两层的作用 GIN-SiNx 玻璃基板 GI-SiNx 1.GI-SiNx 层