激光掺杂技术简介.docVIP

基于激光刻蚀的太阳能电池选择性掺杂技术 发Yu: 2011-9-2|作者:——|來源:luhaifei|査看:354次|用户关注: 激光技术使得选择性发射极结构应用于太阳能电池的人规模生产成为可能 晶体硅组件的市场价格约为1.50-2欧元/Wp （故大输出功率）,薄膜组件的市场价格 约为1.50欧元/Wp,光伏市场的产品价格在一年内下降了 30%?50%。由于许多的国家政 府宣布“强制光伏上网电价”将会有很大幅度的下降，口该趋势将继续延续下去。对于薄膜太 阳能电池制造商来说，他们必须在几年内便能投入到产品的大批量生产屮。因此，他们希望 能够找到一些削减基础成本的空间，比如，卷到卷工产的灵活性太阳能电池是报有希望实现 基础成木削减的。对于满足这种需要的技术，ROFIN公司提供了一种新的高速处理以及高 度定制化的卷到港太阳能电池生产系统。 晶体硅电池转换效率的提升已成为新的焦点 通过控制制造实现晶体硅电池成木下降的空间已经非常有限，现有的一些技术都注重 于节约使用材料（比如使用较薄的硅原料层或在表面上使用较少的银质涂层，减少生产屮的 浪费以及进一步扩大T厂的可川性），但所冇这些削减成本的措施只能提供冇限的成木削减 空间。 因此，制造商将他们的注意力集屮到了每Wp产品价格的第二个组成部分：转换效率。 可用的技术范围十分广阔，多种高性能的电池所表现出来的效能都大于20%,然而在大规 模太阳能电池生产的过稈屮通过转换效率的盈利将超过必要的额外投资。 光伏设备制造商以及整线制造商均对他们产品的生产处理流程表示乐观，并引进了额 外的生产处理步骤以提高产品效能，新增加的处理步骤系统能够育接安装到现冇的生产线 上。在材料加工过程屮使用激光工艺是一种理想的提高产品转换效率的技术手段，相比刻蚀 及扩散技术而言，激光加工技术能够提供精确地控制。这样既能够产生成木效益，且不会损 伤原料。作为一种清洁且灵活的技术，将其结合到现有的生产线屮也是比校简单的。 选择性发射极结构的再开发及利用 一种最具前途的技术在光伏行业存在已久，在上世纪70年代便已经开始研究讨论的选 择性发射极结构。选择性发射极结构能够保证太阳能电池的效能增加1个百分点（对多晶 硅太阳能电池最高能达到12%,对单晶硅太阳能电池最高能达到18.5%）。 今天，大批量生产的太阳能电池都有一个完全金属化的背血。一个厚的P层，一个较 薄的n硅体层，钝化和防反射层以及一个表面接触电路。更详细的说，通常在金屈化的接 触区后的n层进行重度掺杂处理，而在接触电极实现轻度掺杂处理。重度掺杂处理能实现 降低接触电里以及得到较好的侧向电导率，对必要的再结介以及紫外光的反丿、/「来说，轻度掺 杂处理很好的实现。因而这种短波长光谱工作的电池并不能将几乎三倍的光了转换为电能。 选择性发射极结构在大规模生产屮的应用 采用选择性发射极掺杂的应用解决方案被认为是可行性极佳的。从其他的方面来讲这 也是一种常识，选择性掺杂技术是综合的大规模生产的必由Z路。为了能够得到不同水平的 掺杂处理效果而进行额外增加的掺杂处理，使得生产过程更加复杂并需要进行多个步骤（掩 膜、刻蚀和扩散等）。另外，还需要相当完美地排列重掺杂处理区域与表面接触点的位置， 这是一项菲常精细的技术。 故近，研发出了几种新的处理方法能够避免以上提到的缺陷。来自徳国的系统集成商 以及整线供应商Roth arnp; Rau.Man乙Schmid公司和Centrotherm公司在这个项H上进 行了很大的努力。再加上同样是行业内领先的制造商China Sunergy公司也将选择性发射 极结构应用到了人规模太阳能电池的生产之屮。除了背电极刻蚀为形成重掺杂处理的发射极 并使用刻蚀法进行了选择性弱化处理，其他所有关于选择性发射极的处理都是基于激光的方 式进行。 基于激光刻蚀的选择性掺杂技术已经成熟 目前扩散掩膜是其屮最先进的一种方式，通过这项技术可以形成一个电介质掩膜（摸） 层。然后进行选择性地在电极区进行激光处理。接下来的扩散工艺在散步骤在掩模与非掩模 区域上形成了不同的集屮掺杂。 右?接选择性激光掺杂技术 肓接选择性激光掺杂技术对选择性发射极结构来说也是一种可行的技术。由于激光能 够精确地控制区域性的热量输入，这就为选择性激光掺杂技术的戒川提供了最冇利的先决条 件。原来的技术将激光与液体或气体等掺杂的源物质结合起来需要高精度的控制技术。相反 新的技术使用一个“干”处理过程（例如进行局部的预混及沉淀于固态的掺杂膜层）。 最早的使用磷硅酸盐玻璃层（PSG）的解决方案，在上世纪90年代就已经推出，在发 射极的顶部使用传统的掺杂扩散技术，作为下八步处理的掺杂源。由于激光能够局部地消融 硅原料的表面，并能够使PSG层中的磷扩散到发射极屮。然而，仍然要曲对调整厚重的掺 杂发射极区域与接触