半导体物理第七章.ppt

2021/2/6 * 2021/2/6 * ②热电子发射 理论的结果 ? 其中 ? 有效里查孙常数 (书上,表7-4) 2021/2/6 * 2021/2/6 * n为理想因子,I0为与不依赖电压的部分,非理想效应用n的取值来反映,n 通常取1.0-1.2 1）其中I0 通过外推得到。 2） 可以从以前的式子得到势垒高度,在分析中势垒降低必须考虑。 3）n从曲线斜率得到。 2021/2/6 * ★ 肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode——SBD ) p-n结二极管 肖特基势垒二极管 2021/2/6 * ?肖特基势垒二极管是多子器件, 有优良的高频特性. 一般情况下, 不必考虑少子的注入和复合. ?肖特基势垒二极管有较低的正向导通电压. 反向击穿电压较低,反向漏电较高. ?肖特基势垒二极管具有制备上的优势. 2021/2/6 * 2021/2/6 * ★欧姆接触 欧姆接触是金属-半导体接触的另一个重要应用—作为器件引线的电极接触(非整流接触). 欧姆接触的要求: 接触电阻应小到与半导体的体电阻相比可以忽略(不影响器件的电学特性). 欧姆接触的实现: 主要方法是对接触处的半导体高掺杂, 利用隧道效应, 得到很小的接触电阻 7.3少数载流子的注入和欧姆接触 2021/2/6 * 2021/2/6 * 2021/2/6 * 2021/2/6 * 2021/2/6 * 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 半导体物理学 2021/2/6 * chap7 金属与半导体接触 Metal-semiconductor Contact 制造半导体器件或研究半导体材料的性质;总要涉 及到金－半接触如: 1．器件内引线（集成电路各元件的互连线） 2．外引线 3．汞探针c-v测载流子浓度;四探针（钨丝）测电 阻率 金属－半导体接触类型: 1.半导体为轻掺杂（一般 ）,金－ 半接触表现为单向导电（具有整流作用）,这 种接触称为肖特基接触（schottky-contact） （整流接触） 应用:微波开关二极管;太阳能电池;整流器 （面积大,功率大,作开关型稳压源）; 2021/2/6 * chap7 金属与半导体接触 Metal-semiconductor Contact ;箝位二极管（用于集成电路“IC”,限制深饱和）（肖特基势垒二极管） 2．半导体为重掺杂（ ）,金－半接 触表现为（正反向偏压）低阻特性。称欧姆接触 （非整流接触）V-I特性对称。 应用:器件引线（外引线及集成电路中的内线） 两种接触的伏安特性: 2021/2/6 * § 7.1金属半导体接触及其能级图 2021/2/6 * 金属/半导体接触和肖特基势垒 M/S接触（Contact）为金属（M）与半导体（S）接触形成的基本结构,通常形成肖特基势垒(Shottky Barrier),其中肖特基势垒是M/S肖特基接触的主要特征。在特定的条件下M/S接触可形成欧姆（Ohmic）型接触。 影响肖特基势垒的因素有:金属和半导体的功函数、金属感应的镜像电荷产生的镜像势、界面的陷阱态能级及其密度等 欧姆接触,可为半导体器件之间的连接提供的低阻互连 肖特基二极管,可作为整流结（肖特基势垒）器件使用 2021/2/6 * M/S接触的形成 M/S结构通常是通过在干净的半导体表面淀积金属而形成。利用金属硅化物（Silicide）技术可以优化和减小接触电阻,有助于形成低电阻欧姆接触。 2021/2/6 * ★ 金属和半导体的功函数 功函数: W= EVAC-EF, ( EVAC --真空中静止电子的能量,亦记作E0 ) 功函数给出了固体中EF处的电子逃逸到真空所需的最小能量. 2021/2/6 * 金属功函数?Z 2021/2/6 * 关于功函数的几点说明: ① 对金属而言, 功函数Wm可看作是固定的. 功函数Wm标志了电子在金属中被束缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关 ② 功函数与表面有关. ③ 功函数是一个统计物理量 2021/2/6 * 对半导体,电