第3章-光探测器.pptVIP

2021/2/7 * 光敏层每秒产生的电子数密度Ge为 （1-74） 在热平衡状态下,半导体的热电子产生率Gt与热电子复合率rt相平衡。光敏层内电子总产生率应为热电子产生率Gt与光电子产生率Ge之和 （1-75） 2021/2/7 * 导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为 （1-76） 式中,Kf为载流子的复合几率,Δn为导带中的光生电子浓度,Δp为导带中的光生空穴浓度,ni与pi分别为热激发电子与空穴的浓度。 同样,热电子复合率与导带内热电子浓度ni及价带内空穴浓度pi的乘积成正比。即 （1-77） 2021/2/7 * 在热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。 即 在非平衡状态下,载流子的时间变化率应等于载流子的总产生率与总复合率的差。即 2021/2/7 * 下面分为两种情况讨论: （1）在微弱辐射作用下,光生载流子浓度Δn远小于热激发电子浓度ni,光生空穴浓度Δp远小于热激发空穴的浓度pi,并考虑到本征吸收的特点,Δn=Δp,式（1-79）可简化为 利用初始条件t = 0时,Δn = 0,解微分方程得 （1-80） 式中τ=1/Kf(ni+pi)称为载流子的平均寿命。 Kf为载流子的复合几率, ni:热激发电子浓度, pi:热激发空穴的浓度, 2021/2/7 * 由式（1-80）可见,光激发载流子浓度随时间按指