纳米材料科学与技术.docVIP

2.2.2外延生长 外延生长工艺：在单晶衬底表面按照器件或电路设计所需要的电阻和厚度，沿衬 底的的结晶方向沉积一层新单晶的方法。衬底晶片成为籽晶，所生长的单晶是衬 底品格的延仲，包括伴随化学反丿应的沉积和不发生化学反应的物理沉积。薄层材 料和衬底材料相同的称为同质外延，反Z称为异质外延。 量子点材料:InAs.Si, InGaAs 衬底材料:GaAsJnP等 关键工艺参数：温度，反应气体浓度，气流控制以及晶向 具体方法：气相外延，液相外延，分子朿外延 分子束外延（MBE） 在超高真空环境中，使具有一定热能的一种或多种分子（原子）朿流喷射到 晶体衬底，在衬底表面发生反应的过程。分子在飞行过程中儿乎与环境气体无碰 撞，以分子束的形式射向衬底，进行外延生长。 MBE典型特点：（1）从源炉喷出的分子（原子）以分子束形式直线到达衬底 表面。通过石英晶体膜厚仪监测，可严格控制生长速率。（2）分子束外延的生长 速率较慢，大约O.O—lnm/s。可实现单原子（分子）层外延，具有极好的膜厚 可控性。（3）通过调节束源和衬底Z间的挡板的开闭，可严格控制膜的成分和杂 质浓度，也可实现选择性外延生长。（4）非热平衡生长，衬底温度可低丁热平衡 态温度，实现低温生长。可有效减少互扩散和自掺杂。（5）配合反射高能电子衍 射（RHEED）等装置，可实现原位观察。 气相外延技术 在气象状态下，将半导体材料沉积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方 向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。 液相外延技术 从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法，例GaAs的外延层就可以从 以Ga为溶剂，As为溶质的饱和溶液中生长出来。 23.1.1气体蒸发冷凝法：通过在纯净惰性气体的蒸发和冷凝中制备纳米颗粒 适用范囤：金属、CaF2. NaCI等离子化合物、过渡族金属氮化物以及易升华的氧 化物。 优点：纳米微粒表面清洁，粒度整齐，粒径分布窄，以及容易控制等 根据加热源不同，气体蒸发冷凝法可分为8种方法： （1） 电阻加热法 加热体：螺旋纤维或舟状电阻发热体 适用:低熔点金属物质,如Ag,AI,Cu （2） 高频感应加热法 优点：熔体内合金浓度、温度分布均匀性好。 缺点：对于W、Mo等高熔点、低蒸汽圧纳米物质制备非常困难。 (3) (3) 等离子气体加热法 （4） 电子束加热法 （5） 激光加热法 （6）通电加热法 主要用丁?制备Si,Cr,Ti,V7r等结晶性碳化物纳米颗粒 （7）流动油面上的真空沉积法 优点：①可制备Ag, Au, Pd等金属纳米微粒；②平均粒径小（约为3nm）；③粒度 分布范围小；④在油中分散度高；⑤粒径的尺寸可控。 通过改变蒸发条件來控制粒径的大小：蒸发速度，油的粘度，圆盘转速等 （8）爆炸丝法 适用于：工业上连续生产纳米金属。合金和金属氧化物纳米粉体 2. 3. 2液相制备方法 液相法制备纳米微粒的共同特点是以均相的溶液为出发点，通过各种途径使 溶质与溶剂分离，溶质形成一定尺寸和形状的颗粒，得到所需粉末的前驱体，热 解后得到纳米颗粒。 2. 3. 2. 1沉淀法 （1）共沉淀法：在含有多种阳离子的溶液中加入沉淀剂，所有离子完全沉淀的 方法 单相共沉淀法（溶液中不同种类阳离子能够同时沉淀） 混合物共沉淀法（溶液屮不同种类阳离子不能同时沉淀） 金属醇盐水解法：利用一些金属醇盐溶于有机溶剂并发生水解，生成氢氧 化物或氧化物沉淀的特性制备细粉的方法 优点：(a)采用有机溶剂作为金属醇盐的溶剂，由丁?有机溶剂纯度高，因此氧化 物粉体纯度也高；(b)可制备化学计量的复合金属氧化物粉末 用金属醇盐制备复合金属氧化物粉末 复合醇盐法：酸性醇盐和碱性醇盐的中和反应可生成复醇化物 MOR+M (0R)n—?M[M, (0R)n+1] 复合醇盐水解产物一般是原子水平混合均一的无定形沉淀 金属醇盐混合溶液：两种以上金属醇盐Z间没有化学结合而只是混合物，它们 的水解具有分离倾向，但是大多数金属醇盐水解速度很快，仍然可以保持粒子组 成的均一性 2. 3. 2. 2雾化法 将制备溶液通过物理手段进行雾化，从而获得超微粒子的一种化学和物理相 结合的方法。基本过程：制备溶液、喷雾、干燥、收集、热处理。 (1)喷雾干燥(2)喷雾焙烧(3)喷雾燃烧 2. 3. 2. 3水热法和溶剂热法 在具有高温高压反应环境的密闭高压釜内进行，以水或具他溶剂作为反应介 质，在这种特殊环境中使难于溶解或不溶的前驱物变得容易溶解，并使其完成反 应和合成的过程 (1)超临界水热合成法(2)热溶剂合成 2. 3. 2. 4冷冻干燥法 将金属盐的溶液雾化成微小液滴并迅速冷冻成固体。然后使这种冷冻的液滴 中的水升华气化，从而形成了溶质的无水盐，经焙烧后合成超微粉末。 步骤：(1)溶液制备；(2