版图设计准则.pptVIP

2021/3/14 * 可靠性设计 避免天线效应 避免措施: 减小连接栅的多晶和金属1面积,令其在所接栅面积的100倍以下; 采用第二层金属过渡。 2021/3/14 * 可靠性设计 Latch-Up效应 在N阱CMOS电路中,存在寄生pnp和npn晶体管，以及N阱和衬底寄生电阻 寄生pnp、npn晶体管，以及它们的基极到电源和地的寄生电阻，有可能形成正反馈回路 MOS晶体管漏极的大信号摆动，通过漏极寄生电容向N阱和衬底灌入电流，形成正反馈回路的触发条件 若正反馈回路的回路增益大于一，则有可能被触发而导致latch-up，从电源汲取大电流 Nwell 2021/3/14 * 可靠性设计 Latch-Up效应 多发生在大的数字输出Buffer（反相器） 解决办法:令环路增益小于1 对于版图设计来说,应增加N阱和衬底接触孔的数量和减小它们之间的距离，以降低N阱和衬底带电源和地的寄生电阻 对于上华工艺， N阱和衬底接触孔间的距离不得大于36um 2021/3/14 * 可靠性设计 静电放电ESD保护 ESD:Electrostatic Discharge 人体或其他机械运动所积累的静电电压远远超过MOS晶体管的栅击穿电压 集成电路需具备ESD保护电路 HBM（human body model)是一种常用的测试集成电路抗静电能力的电路 2kV Device Under Test 人体模型