拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版.pptVIP

2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.16 考虑如图2.50所示的结构,求ID关于VGS和VDS的函数关系,并证明这一结构可看作宽长比等于W/(2L)的晶体管。假设λ=γ=0 第一种情况: M1、M2均工作在线性区 相当于W/(2L)工作在线性区 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.16 第二种情况: M1工作在线性区, M2工作在饱和区 相当于W/(2L)工作在饱和区 注意:M1始终工作在线性区,因为M2的过驱动电压大于0 线性区 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.16 上面讨论,可知: (1)M2工作在饱和区,则电流满足平方关系 (2) M2工作在线性区,则电流满足线性关系 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.17 已知NMOS器件工作在饱和区。如果(a) ID恒定,(b)gm恒定,画出W/L对于VGS-VTH的函数曲线。 饱和区: 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.18 如图2.15所示的晶体管,尽管处在在饱和区,解释不能作为电流源使用的原因。 以上电路的电流与MOS管的源极电压VS有关,而电流源的电流是与其源极电压VS无关的。 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.27 已知NMOS器件工作于亚阈值区,ξ为1.5,求引起ID变化一个数量级所需的VGS的变化量。如果ID=10μA,求gm的值 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.28 考虑VG=1.5V且VS=0的NMOS器件。解释如果将VD不断减小到低于0V或者将Vsub不断增大到0V以上,将会发生什么情况? 如果VD不断减小到低于0V,则 NMOS的源-漏交换 NMOS工作在线性区 (b) 如果VB不断上升,VSB不断降低,则阈值电压不断减小 漏电流ID上升 2021/3/14 Copyright for zhouqn * THE END!THANK YOU! 2021/3/14 Copyright for zhouqn * Copyright for zhouqn Copyright for zhouqn Copyright for zhouqn 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 第二章 作业答案 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.1、W/L=50/0.5,假设|VDS|=3V,当|VGS|从0上升到3V时,画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解: NMOS管: 假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电 当VGS0.7V时,NMOS管工作在截止区,则ID=0 当VGS0.7V时, NMOS管工作在饱和区,NMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD,则 2021/3/14 Copyright for zhouqn * PMOS管: 假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑亚阈值导电 当| VGS | 0.8V 时,PMOS管工作在截止区,则ID=0 当| VGS | ≥0.8V时, PMOS管工作在饱和区,PMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD,则 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA,计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗,以及本证增益gmro 解:本题忽略侧向扩散LD 1）NMOS 2）PMOS 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.3 导出用ID和W/L表示的gmro的表达式。画出以L为参数的gmro~ID的曲线。注意λ∝L 解: 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.4 分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a) 以VDS作为参数;b)以VBS为参数,并在特性曲线中标出夹断点 解:以NMOS为例 当VGSVTH时,MOS截止,则ID=0 当VTHVGSVDS+VTH时,MOS工作在饱和区 当VGSVDS+VTH时,MOS工作在三极管区（线性区） 2021/3/14 Copyright for zhouqn * 2.5 对于图2.42的每个电路,画出IX和晶体管跨导关于VX的函数曲线草图,VX从0变化到VDD。在(a)中,假设Vx从0变化到1.5V。 （VDD=3V） (a) 上式有效的条件为 即 2021/3/14 Copyright for zhouqn * (a)