金红石结构材物教学PPT课件.ppt

能带结构 四 三 基本参数 缺陷类型 性质应用 一 二 英裕获广酱佬硷撒霸稻仙驶昭遍涅嫩饿豹敲圣薛涡猩培刃诣限剿拒抽兴放金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 基本结构 晶系：四方晶系 点群：P42/mmm 晶胞参数：a0=0.459nm； c0=0.296nm 光泽：金刚石光泽 硬度：6 熔点：1850℃ 解理：（110）面解理 比重：4.2-4.3g/cm 3 颜色：红棕色、红色、黄色或 黑色 透明度：透明到不透明 图1 金红石结构晶胞 屉九行杰营洛十卵琢丁虫行谱旺货概夷希钞要兜逾汾洗吨纤徊键逐训闻烬金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 结构缺陷 分类：非化学计量化合物共有4种类型—— 1、阴离子空位(MaXb-y)型， 如TiO2 → TiO2-x 2、阳离子填隙((Ma+yXb)型， 如ZnO → Zn1+xO 3、阴离子填隙(MaXb+ y)型， 如UO2 → UO2+x 4、阳离子空位(Ma–yXb)型， 如FeO →Fe1-xO 概念： 从近代的晶体结构的理论和实验研究结果表明，具有化学计量比和非化学计量比的化合物都是普遍存在的。 更确切地说，非化学计量化合物的存在是更为普遍的现象。 非化学计量缺陷是指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷 ，它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。 缺陷类型：非化学计量缺陷 莹壹旧溜忙羊椰晋嫌箱抽瘁差捕驾疥音些拖义蝶侄缴答捏炼溶荧妆敢看酿金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 TiO2的缺陷反应方程式 TiO2会产生阴离子空位型缺陷，分子式可写为TiO2-x 产生原因：环境中缺氧，晶格中的氧逸出到大气中，使晶体中出现了氧空位。 缺陷反应方程式应如下： 等价于 即 庭做挤讣衰黔畜杰痰淌斧贩般凑焕诀芦募涟呕虱普辫极易寻莽邵溢仲递傲金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 根据质量作用定律，平衡时，[e’]=2[ ] ： 1）∴TiO2的非化学计量对氧压力敏感，在还原气氛中才能形成TiO2-x。烧结时，氧分压不足会导致 升高，得到灰黑色的TiO2-x，而不是金黄色的TiO2。 2） 电导率随氧分压升高而降低。 3）若PO2不变，则 影响因素 诉蒜兢酚松烯欺阜俐题牟僚敏泪给耽创颐迟晚炕忙辉哺佩翻站研辜肝妊界金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 由图2可以看出高温时 与 具 有 良好的 线性关 系 ，即 电导率随温度的升高而呈指数规律增加，反映了缺陷浓度与温度的关系。 电导率随氧分压升高而降低。 图 3为等温条件下金红石的电导率随氧分压变 化的关系，可以看出， 与 呈 线 性 关 系 。 昏至物奠乎嫉堂躇斜低廷踌韭措扛夫斟我卿娩婆婴鬃畜坊适框昂税啄塘馈金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 缺陷特点 1）非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、温度、 压力有关； 2）可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体； 例如：TiO2-x 从化学计量的角度看，晶体中氧空位，而从化 学的观点来看，可认为是Ti2O3在TiO2 中的固溶体。 3）非化学计量化合物都是半导体。 半导体材料分为两大类：一是掺杂半导体，如Si、Ge 中掺杂B、P，Si中掺P为n型半导体；二是非化学计量 化合物半导体，又分为金属离子过剩（n型）【包括 负离 子缺位和间隙正离子】和负离子过剩（p型）【正离 子缺 位和间隙负离子】 怂稽侵精巳粤丹戌聘全氰猫滔亚通岸罪皆筋慧哉旺诌递镜烟徒砾殖邯铁沮金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 图4 TiO2的能带结构和态密度 类靖斯厘铸筏坝触敬惭褂绵缕钱撇狱樊呕剪摘鞋瞄茨涨泊鸵玉倔羔辖屎蛾金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 能带结构 其费米能级被选定在了 能量零位，计算得到的 最小带隙为1.888ｅＶ。 这一数值远小于理论值3.2ｅＶ，这是由于软件本身以及算法的缘故造成，但与文献值（2.10ｅＶ）比较两者十分接近。 图5 TiO2能带放大图 车羊帮瓮胡态便屁虏裁聊忱无弛齿劣咒唆纽蓝潞葫蹈严淬盐逢解敌陈萎聚金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 第一布里渊区 TiO2(四方晶系) Ti（六方晶系） 陌独班湃巷员喘费胸门宣奖魁停芝戮虞咙承率肚寺爷恰甲虐升险旋证昭洛金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 Al（面心立方） Li（体心立方） 第一布里渊区 举煌痰量单骨湖嫉梨棠木树羊东湃妮贮赘荧哗洞辟闻伙随刹熄甫彰绅簿吴金红石结构材物王亚光金红石结构材物王亚光 应用