半导体光刻胶行业深度报告.docx

? ? ? ? ? ? ? 半导体光刻胶行业深度报告 图像转移媒介，关注进口替代进程 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?  一、光刻胶：利用化学反应转移图像的媒体 （一）图像转移的媒介，摩尔定律核心驱动力 光刻胶是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形从掩膜版转移到待 加工基片上的图形转移媒介。作用原理是利用紫外光、准分子激光、电子束、离子 束、X射线等光源的照射或辐射光刻胶,使其溶解度发生变化，最终得以在晶圆上刻 蚀出需的图形。光刻胶主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平 板显示、LED、PCB印刷线路板等制作过程中也有着广泛的应用。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由主要成分和溶剂构成，当前光刻胶主要使用的溶剂 为丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），占光刻胶含量约为80%~90%。光刻胶的主要成分 包括树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类，其中树脂含量约占主要成分的50%~60%， 单体含量约占35%~45%。 树脂：光刻胶的主要原料，具备光敏性和能力敏感的特殊聚合物，一般是由碳、 氢和氧组成的大分子。经光照后在曝光区能很快地发生固化反应，溶解性、亲和性 等发生明显变化，用适当的溶剂处理就可以得到图像。 溶剂：光刻胶中含量最大的成分，能够使光刻胶的各组成部分溶解在一起，同 时也是后续光刻化学反应的介质。 单体：又称为活性稀释剂，对光引发的光化学反应有调节作用。 光引发剂：又称为光敏剂或光固化剂，是一类能从光中吸收一定波长的能量、 经光化学反应产生具有引发聚合能力的活性中间体的分子。该类化学反应的产物能 与光刻胶中别的物质进一步反应，帮助完成光刻过程。 其他添加剂：控制和改变光刻胶材料的特定化学物质，比如颜料等。 自20世纪50年代开始到现在，光刻技术经历了紫外全谱（300~450nm），G线 (436nm)，Ｉ线（365nm），深紫外（Deep Ultra violet，DUV，248nm和193nm）， 以及下一代光刻技术中最引人注目的极紫外（Extreme Ultra violet，EUV,13.5nm） 光刻，电子束光刻等6个阶段，对应于各曝光波长的光刻胶组分（树脂、光引发剂和 添加剂等）也随着光刻技术的发展而变化。 光刻胶的发展是摩尔定律运行的核心驱动力，193nm光刻技术是当前主流光刻 工艺。半导体工业集成电路的尺寸越来越小，集成度越来越高，并能够按照摩尔定 律向前发展，其内在驱动力就是光刻技术的不断深入发展。当前，较先进的光刻技 术是193nm浸没式光刻，配合双重曝光技术可以达到32nm节点，采用四重曝光技术 可以达到14nm节点，缺点在于增加光刻的难度和步骤，增加成本，降低了生产能力。 利用13.5nm的极紫外光（EUV）光刻技术，可以达到22nm节点，甚至可以达到小 于10nm的技术节点，是下一代光刻技术的研究重点。由于EUV光刻技术中使用的光 源、光刻胶、掩膜及光刻环境均与现有的光刻体系有很大差别，限制了EUV光刻技 术的商业化进程，一定时间内193nm技术仍将会成为市场主流 根据反应机理和显影原理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性 光刻胶形成的图形与掩膜版（光罩）相同，负性光刻胶显影时形成的图形与掩膜版 相反。根据感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型，光分解型和光交联型。 根据应用领域，光刻胶可以分为PCB光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶。 光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能的关键因素。光刻和刻蚀技术是精细 线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸。根据晶瑞股份招股书 披露，光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的30%，并且耗费时间约占整个芯片 工艺的40%-50%，因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。光刻胶经预烘、 涂胶、前烘对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将掩膜版上的图形转移到硅片 上，形成与掩膜版对应的几何图形。 （二）原材料合成难度大，光刻胶下游应用广泛 成膜树脂是合成光刻胶的重要原材料，技术壁垒高。在光刻胶主要几种原材料 中，成膜树脂的合成难度最高，如何保证高分子树脂每次制造出来的分子量分布和 性能都相差无几，是核心难题。随着光刻工艺的曝光波长从紫外g线的436nm、i线 的365nm、缩短到KrF准分子激光的248nm、再到ArF准分子激光的193nm，相应光 刻胶所需的主体成膜树脂也从环化橡胶类、聚乙烯醇肉桂酸酯类发展到线性酚醛树 脂类，再发展到聚对羟基苯乙烯类、聚脂环族丙烯酸酯类和聚甲基丙烯酸酯类。 （三）光刻胶技术参数及发展难点 光刻胶的选择是一个复杂的过程，主要的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求， 光刻胶首先必须具有产生所要求尺寸的能力。此外，在刻蚀过程中保持特定厚度的 光刻胶层中不存在真空，与