电磁场与电磁波试题及答案..docx

1、写出非限定惰况下麦克斯韦方程组得微分形式并简要说明其物理意义。 2、答非限定情况下麦克斯韦方程组得微分形式为,（3分）（表明了电磁场与它们得源之间得全部关系除了真实 电流外变化得电场（位移电流）也就是磁场得源;除电荷外变化得磁场也就是咳得源。 1、 写出时变电磁场在1为理想导体与2为理想介质分界面时得边界条件。 2、 时变场得一般边界条件、、、。（或矢量式、、、） 1、 写出矢量位、动态矢量位与动态标量位得表达式并简耍说明库仑规范与洛仑兹规范得意义。 2、 答矢量位;动态欠量位或。库仑规范与）备仑兹规范得作用都就是限制得散度，从而使得取值具有唯一性; 库仑规范用在静态场，洛仑兹规范用在时变场。 1、 简述穿过闭合曲面得通量及其物理定义 2、 就是欠1： A穿过闭合曲面S得通量或发散量。若0,流出S面得通量大流入得通量,即通 量由S面内向外扩散，说明S面内有正源若①＜ 0,则流入S面得通量大丁-流出得通鼠即通量向S面内汇集, 说明S面内有负源。若①毛则流入S面得通量等于流出得通量，说明S面内无源。 1、 证明位置矢量得散度，并由此说明矢量场得散度与坐标得选择无关。 2、 证明在直角坐标系里计算，则有 若在球坐标系里计算，则 由此说明了矢量场得散度与坐标得选择无关。 1、 在直角坐标系证明 2、 V-Vx A =（e — + e — + e —）?[e （——-—）+e （ ） + e （ ）1 x dx y dy z dz, x dy dz. v dz dx z dx 勿 =2（生一空）+ 2（丝—生）+巴坐一坐）=0 dx dy dz. dy dz dx dz dx dy 1、 简述亥姆霍兹定理并举例说明。 2、 亥姆霍兹定理研究一个矢量场，必须研究它得散度与旋度，才能确定该欠量场得性质。例静电场 有源 无旋 K已知，证明 2、证明 MR R R 一 兀一「- y-y . 一 z — z 7R = j —— +匕 —— +匕—— =ex + s +匕 x Ox y x R y R 4 R 9T 1、试写出_般电流连续性方程得积分与微分形式,恒定电流得呢? 2、一般电流; 恒定电流 1、 电偶极子在匀强电场中会受作怎样得运动？在非匀强电场中呢？ 2、 电偶极子在匀强电场中受一个力矩作甩发生转动;非匀强电场中,不仅受一个 力矩作用，发生转动，还要受力得作用，使电偶极子中心发生平动,移向电场强得方向。 1、 试写出静电场基本方程得积分与微分形式o 2、 答静电场基本方程得 积分形式, 微分形式 1、 试写出静电场基本方程得微分形式并说明其物理意义。 2、 静电场基本方程微分形式，说明激发静电场得源就是空间电荷得分布（或就是激发静电场得源就是就是 电荷得分布）。 1、 试说明导体处于静电平衡时特性。 2、 答导体处于静电平衡时特性有 导体内； 导体就是等位体（导体表面就是等位面）； 导体内无电荷，电荷分布在导体得表面（孤立导体曲率）； 导体表面附近电场强度垂直丁?表面,11。 1、 试写出两种介质分界面静电场得边界条件。 2、 答在界面上D得法向量连续 或（）;E得切向分量连续或（） 1、试写出1为理想导体,二为理想介质分界面静电场得边界条件。 1、 试写出恒定磁场得边界条件并说明其物理意义。 2、 答:恒定磁场得边界条件为：，说明磁场在不同得边界条件下磁场强度得切向分量就是不连续得，但就是 9 磁感应强强度得法向分量就是连续。 1、 一个很薄得无限大导电带电面，电荷而密度为。证明垂直于平面得轴上处得电场强度中,有一半就是有 平面上半径为得圆内得电荷产生得。 2、 证明半径为、电荷线密度为得带电细圆环在轴上处得电场强度为 故整个导电带电而在轴上处得电场强度为 而半径为得圆内得电荷产生在轴上处得电场强度为 2心 d /?2吕 2心 d /? 2吕3 +込泸 仏 1 2^(r + 4)1 2 辰) H 1、由矢量位得表示式 证明磁感应强度得积分公式 并证明 2、答 故得点电荷得电场表示式 由丁;可収则得 即得泊松方程 1、 写出在空气与得理想磁介质之间分界面上得边界条件。 2、 解空气与理想导体分界面得边界条件为 根据电磁对偶原理，采用以下对偶形式 即可得到空气与理想磁介质分界面上得边界条件 式中J小为表而磁流密度。 1、 写出麦克斯韦方程组（在静止媒质中）得积分形式与微分形式。 2、 试写媒质1为理想介质2为理想导体分界面时变场得边界条件。 2、 答边界条件为 或 1、 写出时变电磁场在1为理想导体与2为理想介质分界面时得边界条件 2、 时变场得一般边界条件、、、。（写成欠量式、、、一样给5分） 1、 写出矢量位、动态矢量位与动态标量位得表达式并简要说明库仑规范与洛仑兹规范得意义。 2、 、答欠量位;动态矢量位或。库仑规