中国 无锡 2005 年 1 月 1 动态体控制技术在 SOI CMOS 低压低功耗电路中的应用 刘 忠 立 中国科学院半导体研究所 2005 年 1 月 中国 无锡 2005 年 1 月 2 主要内容 ? 一、引言 浮体 ? 二、动态体控制及在低压低功耗电路中的应用 ? 1 ) SOI 动态体控制的工作原理 ? 2 ) SOI 动态体控制的 100 级倒相链 ? 三、 DTMOS 器件 ? 四、 DTMOS 反相器 ? 五、 DTMOS 缓冲器 ? 六、其它 DTMOS 器件 ? 七、结语 中国 无锡 2005 年 1 月 3 一、引言 浮体 ? 在 PD ( 部分耗尽 ) SOI MOSFET 中 , 导电硅膜下方存 在中性浮体。当器件导通时,浮体会造成器件阈值电压 降低,并使漏极电流突然上升,这便是 Kink( 扭曲 ) 效应。 这一效应对 CMOS 电路,特别是 CMOS 模拟电路有不良 影响。 ? 为了减小及避免 Kink 效应 , 常采用体引出技术:即 将中性体引出接地或接某一固定电位,及时排出积累的 空穴。 ? 同时,体作为一个电极,增加了 SOI MOSFET 阈值 特性控
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