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金属负偏压（金属电势低于半导体电势） 表面电势 半导体电势高，能带向下弯曲。 空穴移向半导体与 绝缘层交界处，并 在该处累积。 对于空穴，向上方向为能量降低方向。 二、半导体接触 C00103 信息技术与社会进步 主讲人：刘纯亮 西安交通大学电子与信息工程学院 第 5 章 微电子技术（ 2 ） 5-2 固体能带概念与 MOS 器件 2014 年 07 月 15 日 本科生课程“信息技术与社会进步”讲 义 大 纲 一、固体能带和载流子概念 二、半导体接触 三、 MOS 器件及应用 固体的三种形态 单 晶 固 体 （ Single Crystalline Solid ），原 子在整个区域周期排列， 制备成本最高。 多 晶 固 体 （ Poly- crystalline Solid ）， 原子在很小区域周期 排列形成晶粒，整个 区域无周期性，制备 成本较高。 非晶固体 （ Amorphous Solid ），原子在整个区 域无序排列，制备成本 最低。 一、固体能带和载流子概念 g c v E E E ? ? 固体中电子的能量状态可分为三种情况： （ 1 ） 价带 ：该能量范围充满电子，但电子不能自由移动。 （ 2 ） 导带 ：该能量范围可存在电子，且电子能够自由移动。 （ 3 ） 禁带 ：该能量范围不允许存在电子。 导带 价带 禁带 固体中电子的三种能量状态 一、固体能带和载流子概念 （ 1 ） 金属（导体） ：导带与价带重叠，存在自由移动的电子，能够传导电 流，随着温度升高导电性变差。 （ 2 ） 绝缘体 ：导带与价带分离，禁带宽度很大，价带中充满电子（但不能 自由移动），导带中没有电子，不能传导电流。 （ 3 ） 半导体 ：导带与价带分离，禁带宽度较小，在绝对零度下，价带中充 满电子（但不能自由移动），导带中没有电子，不能传导电流。在室温下， 由于热激发会有部分电子从价带跃迁到导带，导带存在部分自由移动的电 子，可传导电流，随着温度升高导电性增强。 固体的三种导电状态 一、固体能带和载流子概念 一般情况下，由于受到固体表面势垒的阻挡，固体中的电子不能离开 固体表面而逃逸出固体。 功函数 （Φ）是描述固体表面势垒的一个重要物 理参量，定义为 真空能级 （ E 0 ）与固体中电子的 费米能级 （ E F ）之差。 费米能级是描述固体中电子统计分布的一个重要物理参量。对于金属， 费米能级代表自由电子的最大能量。对于绝缘体和半导体，在绝对零度下， 电子占据费米能级之上和之下状态的概率均为 50% 。 只有给电子提供能量，电子才 有可能逃逸出固体表面。给电子提 供能量的三种常用方式： （ 1 ）热能，加热固体。 （ 2 ）电场能，外加高电场。 （ 3 ）光能，激光照射。 固体表面功函数 一、固体能带和载流子概念 从原子能级到固体能带 泡利不相容原理 ：每个量子态最多容纳自旋相反的 2 个电子。 反键态 成键态 分离原子的能级 能量 原子间距 原子间距 分离原子的能级 形成分子时的平衡间距 能量 能带顶部 能带底部 两个原子结合成分子 多个原子结合成固体 一、固体能带和载流子概念 导带和价带的定义 E x 或 导带 （ Conduction Band ， CB ）：最低的完全空或部 分空的能带， E C 为导带底 的能级。 价带 （ Valance Band ， VB ）：最高的完全填充的 能带， E V 为价带顶的能级。 g E 禁带宽度（ E g ）：导带底到价带顶之间的能量差。 g C V E E E ? ? 禁带 一、固体能带和载流子概念 金属 半导体 绝缘体 二氧化硅： E g = 8 eV 金刚石： E g = 6 eV 室温下 硅（ Si ） ： E g = 1.12 eV 锗（ Ge ）： E g = 0.66 eV 砷化镓（ GaAs ）： E g = 1.42 eV 铜（ Cu ） 锌（ Zn ） 铅（ Pb ） 导带存在电子 导带与价带重叠 一、固体能带和载流子概念 半导体中载流子的产生 在半导体中，如果给价带中的电子提供能量，当电子的能量大于禁带 宽度时，电子将从价带跃迁到导带，在导带形成可自由移动的电子，同时， 在价带留出一个空位，称为 空穴