模拟电路-4-2半导体三极管.pptVIP

20XX年复习资料;  ;4.2.1 三极管的结构及工作原理 4.2.2 三极管的基本特性 4.2.3 三极管的主要参数及电路模型;按材料分： 硅管、锗管;4.2.1三极管的结构及工作原理; 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度低。;1、二极管 （1）二极管的伏安特性 （a）正向特性 开启电压Uth 、导通电压UD(on) （b）反向特性 反向饱和电流 Is （c）击穿特性 击穿电压UBR （2）二极管的开关特性 存在反向恢复时间 ;（3）二极管的主要参数及电路模型 直流模型：理想模型、恒压降模型、折线模型 交流模型：小信号模型 （4）二极管应用举例 二极管整流电路、限幅电路、开关电路 2、稳压二极管 主要参数 ;3、三极管的结构、符号 工艺特点：发射区高掺杂， 基区低掺杂、宽度窄， 集电区结面积大、掺杂浓度低。;2. 三极管内部载流子的传输过程;可得如下电流关系式:;3. 三极管的电流分配关系;(2)三极管的电流放大系数;;三极管的放大作用;穿透电流;由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。;4.2.2 三极管的基本特性;1. 输入特性曲线;与二极管特性相似;②uCE≥1V uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，三极管处于放大状态，集电极更易收集电子，且基区复合更少， IB减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 但uCE再增加时，曲线右移很不明显。 ;2.输出特性曲线;当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V uCB ≥0.3 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入比较平坦的区域， 略微上翘——基区宽 度调制效应。 （动??2-2） ; 输出特性曲线可以分为三个区域:;3.三极管的开关特性;(2)三极管的开关时间;4.2.3 三极管的主要参数及电路模型; 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求 取IC / IB 。从IC较小到IC较大， 会有所减小。;; ②极间反向电流 a.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 ;ICEO在输出特性曲线上的位置;; b.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? UCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈?、 ≈?，可以不加区分。; (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM;1、三极管的电流分配与控制 保证三极管处于放大状态：发射结正偏、集电极反偏;2、三极管的电流关系 （1）组态 CE、CB、CC （2）电流放大系数 共基极直流电流放大系数。 它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。 共发射极直流电流放大系数 穿透电流;3、三极管的伏安特性 输入特性;输出特性曲线 饱和区：发射结正偏、 集电结正偏或零偏 放大区：发射结正偏、 集电结反偏 截止区：发射结反偏或零偏、 集电结反偏;4、三极管的开关特性;5、三极管的主要参数 （1）直流参数 ICEO、ICBO （2）交流