半导体的导电性.pptVIP

2021/3/27 * ４.合金散射 　　AlxGa1-xAs中,AlAs占据一套面心立方,GaAs占据一套面心立方,但Al、Ga两种不同原子在Ⅲ族位置上的排列是随机的，对周期性势场产生一定的微扰作用，因而引起对载流子的散射作用，称为合金散射。　 　 合金散射是混合晶体特有的散射机制。在原子有序排列的混合合金中,几乎不存在合金散射效应。 2021/3/27 * 练习 T=300K时,砷化镓的掺杂浓度为NA=0,ND=1016cm-3,设杂质全部电离，电子的移迁率为7000cm2/V.s, 空穴的迁移率为320cm2/V.s，若外加电场强度ξ=10V/cm,求漂移电流密度和电导率 解: 室温下,砷化镓的ni=107cm-3ND,属强电离区 2021/3/27 * §4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系 描述散射的物理量 散射概率Ｐ:单位时间内一个载流子受到的散射的次数 平均自由时间　:极多次散射之间自由运动时间的平均值 2021/3/27 * 一.平均自由时间?和散射概率Ｐ的关系 晶体中的载流子频繁地被散射,每秒钟可达 1012～ 1013次。令 N (t)表示在 t时刻它们中间尚未遭到散射的载流子数,则在t～t+dt间隔内受散射的电子数: t+dt时刻仍没受到散射的电子数为: 当时间变化很小时 2021/3/27 * t~t+dt间被散射的电子数为: 的解为