场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

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2021-04-06 发布于广东
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场效应晶体管及其放大电路.ppt

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第4章场效应晶体管及其放大电路;场效应管;N沟道;;P 沟道场效应管;4.1.2 结型场效应管工作原理;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。;uGS 0,uGD = UGS(off), 沟道变窄预夹断;3.当uGD uGS(off)时, uGS 对漏极电流iD的控制作用;小结;4.1.3 结型场效应管的特性曲线; 转移特性;IDSS/V;＊　结型P 沟道的特性曲线;4.2　绝缘栅型场效应管MOSFET（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）;4.2.1、N 沟道增强型 MOS 场效应管;1. 工作原理;(2) UDS = 0，0 UGS UGS(th);(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UGS(th) );D;3. 特性曲线与电流方程;4.2.2 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;P沟道MOS管;种类;种类;4.2.3.　场效应管的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;例1;例2;解：;;从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图);;;;;第一章半导体器件;4.3　场效应管放大电路;4.3.1场效应管放大电路的静态工作点的设置方法;静态分析－－ UGSQ 、 IDQ　 UDSQ; (二) 图解法;Q点：;三、分压式偏置电路;;根据漏极回路方程;4.3.2场效应管放大电路的动态分析;如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。;微变参数 gm 和 rDS;二、基本共源放大电路的动态分析;2.分压式偏置电路的动态分析;三、基本共漏放大电路;2.动态分析;1.场效应管放大电路及管子转移特性如图所示. (1)计算静态工作点参数IDQ、UGSQ、UDSQ。(IDSS=3.2mA) (2)若静态工作点处跨导gm=2mA/V,计算Au、ri、ro。;;RG1 2ＭΩ;2. (1)