第四章pn结教材.docxVIP

半导体物理学简明教程 半导体物理学简明教程 PAGE # PAGE PAGE # 第4章 第4章pn结 1、对Na=1 X1017cm-3, Nd=1 X1015cm-3的突变pn结，通过计算比较其制造材料分别为 Si和 GaAs时室温下的自建电势差。 kT Vd = — (ln 解：pn结的自建电势 q NdNa) 2 ) 已知室温下，kT =0.026ev，Si 的本征载流子密度 “1.° Ecm，代入后算得: 17 15 1 0 x1 辺10 Vd =0.026 ln( 糧 )=0.718eV (1.0 10 ) 6 J3 GaAs的本征载流子密度ni =2.1 10 cm，代入后算得: 17 15 1X10X1X10 Vd =0.026 ln( 6 ) =1.537 eV 2.1 106 2、接上题, 解：根据式 对于Si: 分别对 Si结和GaAs结求其势垒区中1/2势垒高度处的电子密度和空穴密度。 (4-14)，该pn结势垒区中qVD-qV(x)=1/2qVD处的热平衡电子密度为 qV(x) - qVD qV(x) -qV 显)=nn°exp[ N d exp[ ] kT kT 代入数据计算得九01 10cm 3 对于GaAs :代入数据计算得°0 =1.46 10 cm 根据式(4-17)，该处的空穴密度为 2 p0(x)fexp[qv^]喘exp[-