电子束直写制作微波带片.docx

电子束直写制作微波带片 波带片；设计制作 1 引言 随着制造业的发展对加工精度提出了越来越高的要求， 传统 机床加工精度已经远远不能满足飞速发展的的要求， 使得微纳加 工的应用领域得到了很大拓展。 首先是应用于军事领域， 然后被 广泛地推广至各个领域。 其中电子束光刻技术是推动微米电子学 和微纳米加工发展的关键技术， 尤其在纳米制造领域中起着不可 替代的作用，包括利用电子束直写技术制作波带片。 在惯性约束聚变（ICF）中微米、亚微米级空间分辨的 X光 成像技术是很重要的等离子体诊断技术之一。 目前用于 ICF 实验 中高分辨靶源辐射成像的方法主要有： 针孔成像、 掠入射显微成 像、编码成像、波带片成像等。前三种成像技术完全基于几何光 学理论和严格限制高级衍射。 所以他们的分辨率都不能达到深亚 微米的水平，文献报道目前只有微波片成像技术可以达到 5um的 空间分辨率，以满足人们的对分辨率的要求。 微波带片的制作原理 微波带片是一种特殊的光学透镜， 它是通过衍射特性对光束 进行聚焦的， 不是利用器件对光的折射特性进行工作。 波带片成 像技术能够获得深亚微米、 纳米级的实验水平。 微聚焦波带片成 像和其他方法相比，具有空间分辨率高、聚光效率高、应用范围 广等特点。这种成像技术的分辨率完全依赖于微波带片最外环的 宽度，通常系统所能获得的极限分辨率是微波带片最外环宽度的 1.22倍。如果波带片的最外环宽度是 25cm,就可以达到30cm的 高空间分辨率。 波带片制作方法主要有机械刻划、 激光全息光刻、 电子束直 写等。机械刻划条件极为苛刻，不仅时间长而且精度不高，很难 刻划出亚微米的线条。 激光全息光刻虽然能够制作出深亚微米水 平的微波带片， 但是它的控制精度和分辨率不能与电子束直写相 比较。但是，电子束制作可以制作出纳米级的高分辨率图形，却 不能够制作高宽比的图形。 对于微波带片的制作， 采用阴阳图形 互换技术， 即电子束直写和同步辐射 X 射线光刻技术混合的光刻 方法，充分利用上述两种光刻技术的优点避免他们各自的缺点， 先使用电子束直写方法制作低低宽比的阳图形 （大面积为透光图 形）微波带片， 然后用同步辐射 X 射线光刻技术复制高高宽比的 阴图形（大面积为不透光图形）微波带片。 同步辐射X射线之所以被用于光刻，是因为X射线能在很厚 的材料上定义出分辨率非常高的图形。 由于X射线波长极短，为 0.01?10nm数量级，因此分辨率相当高，同步辐射 X射线光刻 是一种非常好的可用于100nm以下分辨率的光刻技术，且能在这 个波段范围内穿透绝大多数材料。 同步辐射X射线光刻能得到非 常大的光刻线条高宽比， 这对满足后步光刻图形的转移及加工的 要求非常重要。 为波带片数据处理 在实验中通过宏文件将每一个圆环分成 40 份，每一份都用 182 个顶点来表示，最终很好地消除了棱角和“鼓包”的现象， 得到很好的实验结果。“鼓包”是由于电子束系统双曝光造成 的。电子束处理两个相邻的图形时， 对于交接处电子束要进行两 次曝光，从而造成这些地方曝光剂量过大，形成鼓包。 制作流程 图 1 电子束制作微波带片掩模流程图 具体的制作工艺流程如图 1 所示。利用低压化学气相沉积方 法，在900C下将SiH2CI2/NH3的混合气体通入管道中，在硅片 两面同时淀积所需要的2um厚的氮化硅薄膜。将正性抗蚀剂旋涂 在硅片的正反两面，使用常规的光刻技术，进行曝光，再使用反 应离子刻蚀机，利用 SF6气体在片子的背面刻出所需要的 SiNx 窗口，利用化学湿法腐蚀法将背面的体硅去掉， 留下自支撑的氮 化硅薄膜。利用电子束蒸发设备在片子的正面分别形成 8nm厚的 铬层和15nm厚的金层。在硅片的正面旋涂正性抗蚀剂，利用电 子束曝光机进行直写，再经过电镀、去胶、打底金、漂铬等工艺 就得到所要制作微波带片的掩模。 然后，利用得到的掩模进行同 步辐射 X 射线光刻复制。 实验结果 成功地实现了阴阳图形互换技术。 首先， 利用电子束直写成 功制成了阳图形微波带片，然后用同步辐射X射线光刻技术复制 成功阴图形（大面积为不透光图形）微波带片。 6 总结 通过版图自动生成工具， 设计了微波带片， 解决了常用版图 工具设计微波带片等复杂图形的限制， 然后利用电子束直写技术 和同步辐射 X 射线光刻技术进行微波带片的制作， 并成功获得可 以应用到 ICF 诊断系统的 MZP。