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2021/3/27 * 2021/3/27 * Some about the name of MOCVD In the reference, MOCVD also have some other names. Different people prefer different name. All the names refer to the same growth method. MOCVD (Metalorganic chemical vapor deposition) OMCVD(Organometallic CVD) MOVPE (MO vapor phase epitaxy) OMVPE AP-MOCVD (Atmosphere MOCVD) LP-MOCVD (Low pressure MOCVD) 2021/3/27 * 2021/3/27 * MOCVD设备 2021/3/27 * 2021/3/27 * 2021/3/27 * 2021/3/27 * Schematics of a MOCVD system Carrier gas Material sources Gas handling system Reactor Exhaust system Safety system In-situ diagnostics NO electron beam probes! 2021/3/27 * Gas handling system 气体处理系统的功能是混合与测量进入反应室的气体。调节进入反应室气体的速率与成分将决定外延层的结构。 气路的密封性至关重要,因为氧气的污染会降低所生长薄膜的性能。 阀门的快速转换对薄膜和突变界面结构的生长很重要。 流速,压强和温度的精确控制能保证生长薄膜的稳定性和可重复性。 2021/3/27 * Carrier gas 惰性气体占所携气体的90%? 严格的纯度要求。 一般用H2,可通过一个加热至 400 OC 的钯箔轻易的净化。问题:H2 遇到O2很轻易爆炸。? high safety costs. 替代气体:N2—更安全,纯度相似,在裂化前驱体分子中更为有效（更重）。 调节: 流量控制器 P ~ 5- 800 mbar 2021/3/27 * Material sources 挥发性前驱体分子由携带气体传送。 III-V族半导体的生长: III族元素: 通常是金属有机分子 。 V族元素: 通常是氢化物剧毒气体 (AsH3; PH3—也是可燃气体); 替代物: 烷基物 (TBAs, TBP). 2021/3/27 * Vapor pressure of most common MO compounds Compound P at 298 K (torr) A B Melt point (oC) (Al(CH3)3)2 TMAl 14.2 2780 10.48 15 Al(C2H5)3 TEAl 0.041 3625 10.78 -52.5 Ga(CH3)3 TMGa 238 1825 8.50 -15.8 Ga(C2H5)3 TEGa 4.79 2530 9.19 -82.5 In(CH3)3 TMIn 1.75 2830 9.74 88 In(C2H5)3 TEIn 0.31 2815 8.94 -32 Zn(C2H5)2 DEZn 8.53 2190 8.28 -28 Mg(C5H5)2 Cp2Mg 0.05 3556 10.56 175 Log[p(torr)]=B-A/T 2021/3/27 * Exhaust system 泵和压强控制器 低压生长:机械泵和压强控制器? 控制生长气压。泵应该能处理较大的气体流量。 废气处理系统 废气的处理是涉及安全到问题。 GaAs 和 InP: 剧毒原材料如AsH3 和 PH3. 废气中仍然留有部分未反应的AsH3 和 PH3, 通常这些剧毒废气应用化学的方法处理掉。 对于 GaN, 这就不是问题了。 2021/3/27 * Safety issues Concerns: Flammable gases (H2) Toxic gases (AsH3, PH3) 安全措施: 大量的监测系统放在不同位置,能监测到非常微小 的漏气。 在建筑物各个地方安置警报器+ 报警器指向操作员。 在漏气及其它严重的故障时能立即关闭系统至安全状态。 替代方法: 用可替代的气体 N2 carrier TBAs, TBP (toxic but liquid ? low vaopr pressure) 2021/3/27 * 2021/3/27 * 2021/3/27 * MOCVD的特点 2021/3/27 * 2021/