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LED 芯片研磨三步曲 LED 芯片研磨制程的首要动作即“上腊” ，这与硅 芯片的 CMP 化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制 （Lapping 制程 ） 或陶瓷 （Grounding 制程 ）圆盘上。先将固态蜡 均匀的涂抹在加热约 90?110 C的圆盘上，再将芯片正面置放 贴附于圆盘，经过加压、冷却后，芯片则确实固定于盘面， 完成上腊的动作。 LED 芯片研磨一步——上蜡 上腊的制程，必须控制腊的厚度在 2~3um ,这与固蜡的 选择、加压方式及条件都有直接影响，并且直接关系着研磨 后的完工厚度均匀性。而上腊机的加压、冷却机构部分，大 致可分成两种，一为使用两圆盘直接加压方式，另一种则是 除了加压圆盘外，还增加了一个真空舱，在加压时将舱体抽 真空，增加将蜡均匀压平的效果。 这两种方式，严格来说差异并不大。但是某些芯片，却 不适用于真空加压的方式上腊，例如芯片若是在磊晶制程前 号，就已经在芯片正面的平边作刻号，当加压抽真空时，因为平 边的刻号隆起，会造成芯片下的腊被真空吸出，导致腊厚不 号， 足。研磨时，平边区域非常容易就被磨掉。除了造成研磨缺 角，也因裂痕的产生，容易使芯片破裂。 然而，加压、冷却的设计也有不同，一般下圆盘都会有 冷却水管路盘绕在盘内。但是有的是加压后数十秒或两分钟 才开始加冷却水作冷却，而有的则是边加压、边冷却。 当上腊作业时，有一个难题，即芯片上腊时的气泡。气 泡会使芯片无法完全贴附于铁盘或陶瓷盘上，研磨后会造成 小裂痕。 （若芯片研磨后产生小十字型或人字型裂痕， 则是上 腊时有微尘未被清除而造成。 ）但是，近来已经有自动上腊机， 如 WEC 、TECDIA 。在 Robot 取片时，就能将气泡大小控制 在 0.5mm 以下， 在经过加压冷却后， 芯片上腊的状况就十分 良好。但是若以 SpeedFAM 的手动上腊机进行上腊时，去除 腊中 1mm 大小的气泡，就必须依靠操作者的经验与方法， 才能获得最佳的上腊效果。 LED 芯片研磨二步曲——研磨 在上腊制程作业完成后，接下来的制程就是破坏力最高 的“研磨制程” 。 过去最成熟的研磨制程就是 Lapping ，即是将芯片使用 氧化铝研磨粉作第一次研磨。其作业方式是使用千分表量测 与设定铁盘外围的钻石点，再将其放置于磨盘上，使用研磨 粉作研磨。使用钻石点的目的在于让芯片研磨至设定厚度 时，由于钻石的硬度最高，所以芯片就不致于再被磨耗。 但是，由于蓝光 LED 基板为蓝宝石， 硬度高， 所以使用 Lapping 的方式研磨时，会导致制程时间过长。因此，近几 年来以 Grinding 的方式进行蓝光 LED 的芯片研磨，降低制 程工时。 Grinding 制程设备可分成卧式与立式两种，卧式研磨机 所指的是研磨马达与水平面平行，可适用于八片式以下的研 磨设计。但是若为 12 片式研磨时，因陶瓷盘过大，则无法 使用此设计方式。立式研磨机所指的是研磨马达与水平面垂 直，而八片式以上的研磨机以此设计为主。 在 Grinding 的制程方式中， 使用钻石砂轮搭配冷却液 ( 冷 却油+R0水或DI水)或钻石切削液来研磨芯片。 虽然冷却方 式会依原设计者的制程理念与经验而有所不同，但是并不影 响制程的结果。此制程作业之中，最主要的在于工作轴与砂 轮轴的调整必须呈平行。再来，就是砂轮的磨石结构。 由于 Grinding 研磨制程的速度效率高， 若可以在研磨时 将芯片厚度尽可能的减薄，则抛光的工时与成本就能降低。 但是，研磨是高破坏性的制程作业，所以芯片减薄有一个极 限值;另外，研磨制程中因钻石所造成的刮痕约为 15um，所 以完工厚度值也影响着研磨减薄的厚度设定。 然而，在使用过的 Grinding 研磨机里，不论是 T 牌、 W 牌、SF牌等，最大的极限值都在 95?105um。因为蓝宝石基 板的硬度与翘曲， 而使得完工后在 100um 以下的结果相当不 稳定。 所以， LED 的研磨制程主要在设备设计与使用者经验的 搭配。但是芯片的本质，仍是影响结果的主因。 LED 芯片研磨三步曲——抛光 在芯片研磨之后，接下来的制程作业就是“抛光”。目 在芯片研磨之后，接下来的制程作业就是“抛光” 。目 研磨后的10um 研磨后的 10um， 的在处理 Lapping 研磨后产生的深孔，或 Grinding 深刮痕。一般而言， Lapping 研磨后的孔洞深度约为 Grinding 研磨后的刮痕深度为 15um~20um。 以 Lapping 研磨后的抛光制程而言，抛光盘多数使用聚 氨酯Pad,即一般所谓的软抛。软抛可以使制程作业后的表 面光亮如镜，但是其切削速率极低，约为 0.2um/min 。另 个抛光方式是使用锡、铅盘，因其盘面为金属材质，所以 般称为硬抛。硬抛的切削速率可