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第二章线缺陷 2. 半共格界面 特征：沿相界面每隔一定距离产生一个刃型位错，除刃型位错线上的原子外，其余原子都是共格的。所以半共格界面是由共格区和非共格区相间组成。 3.非共格界面 特征：原子不规则排列的薄层为两相的过渡层。 第二章线缺陷 第二章线缺陷 具有完善共格关系的界面 第二章线缺陷 具有弹性畸变的共格界面 第二章线缺陷 半共格界面 第二章线缺陷 非共格界面 第二章线缺陷 本章小结 1、点缺陷 2、位错类型的判断及其特征、柏氏矢量 的特征 3、位错的合成和分解 4、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型 第二章线缺陷 【Eg.】多晶材料中在晶界前形成位错塞积 晶界处晶粒的位相差→邻近晶粒滑移系统取向不一致（离子/共价晶体滑移系统少，更易发生） Dislocation pileups at grain boundaries indicate these boundaries are very strong obstacles to dislocation motion 第二章线缺陷 位错在空间沿折线运动所需能量大，外加切应力在新滑移方向上不一定超过临界应力，造成位错在晶界前停滞塞积 障碍前塞积的位错可能造成微裂纹 第二章线缺陷 障碍物对塞积群的反作用力 该力超过一定值时，就会把障碍物“冲垮”，这意味着晶体开始发生变形。 第二章线缺陷 （2）位错反应： 位错的分解和合成 由一根位错分解成两根以上的位错，或由两根以上的位错合并为一根位错 ，这些统称为位错反应。 位错反应 的结果是降低体系的 自由能 。 1、 位错反应的条件 所有自发的位错反应必须满足两个条件 ： (1)几何条件 Σb前= Σb后，即反应前后位错在三维方向的分矢量之和必须相等。 (2)能量条件 Σb前2 Σb后2，即位错反应后应变能必须降低，这是反应进行的驱动力。 第二章线缺陷 几何条件 能量条件 第二章线缺陷 例：判断下个位错能否进行 几何条件：反应前 反应后 能量条件：反应前 反应后 几何条件和能量条件都满足，反应可以发生 第二章线缺陷 解：几何条件： 反应后 能量条件： 反应前： 反应后： 此反应满足几何条件但不满足能量条件，故反应式不成立 。 第二章线缺陷 3.10 晶体中位错的产生与观察 1．液体金属凝固时形成位错 枝晶生长过程中受温度梯度、浓度梯度、机械振动和杂质影响而产生内应力，使枝晶发生偏转或弯曲，点阵错排。 2．过饱和空位转化成位错 ? 3．局部应力集中形成位错 晶体内部的某些界面和微裂纹附近，由于应力作用使局部区域发生滑移，产生位错。 3.10.1 位错的产生和消失 第二章线缺陷 （1）位错很难消失 （2）采用合适的工艺条件避免生长过程中产生缺陷 第二章线缺陷 ?界面构成晶态固体组织的重要组成部分；是二维晶体缺陷。 ?结构不同于晶体内部，因而有很多重要的不同于晶体内部的性质，影响晶体的一系列物理化学过程，且对晶体整体性能也具有重要影响。 ?例如晶体生长、外延生长、摩擦、润滑、磨蚀、表面钝化、催化、吸附、扩散以及各种表面的热粘附、光吸收和反射、热电子和光电子的吸收和反射等；晶体中的界面迁动、异类原子在晶界的偏聚、界面的扩散率、材料的力学和物理性能等也都和界面结构有直接的关系。 ?是现代材料学科中一个活跃的课题。 4 晶界与相界 第二章线缺陷 4.1 晶界 晶粒间界的简称；例如陶瓷、金属等材料是多晶材料，由大量晶粒构成（晶体生长在许多部位同时生长，不形成均匀单晶） 晶界是多晶体中由于晶粒取向不同而形成的，有序到无序的过渡区域 晶界性质对材料性质具有重大影响 第二章线缺陷 晶界特征 （1）晶界处点畸变大，存在晶界能。 （2）常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍运动，使塑型变形抗力提高，使晶体（材料）的硬度和强度提高。 （3）晶界处原子具有较高的动能，且晶界处存在大量缺陷。原子在晶界处扩散比晶内快得多。 （4）固态相变时易在晶界处形成新核。 （5）晶界上富集杂质原子多，熔点低，加热时容易过烧。 （6）晶界腐蚀速度比晶内快。 （7）晶界具有不同与晶内的物理性质。 (8) 亚晶界属与小角度晶界，为各种亚结构的交界，大小 和尺寸与热加工条件有关。 第二章线缺陷 entire sample Crystal lattice structure within a single grain Break down of atomic symmetry at grain boundaries Grains separated by a grain boundaries 第二章线缺陷 晶粒空间位向不同 空间过渡：atom simulati