第3章《自测题、习题》参考答案课案.pdfVIP

18 第 3 章 自测题与习题参考答案 第 3 章 场效应管及其基本放大电路 自测题 3.1 填空题 1．按照结构，场效应管可分为 。它属于 型器件，其最大的 优点是 。 2．在使用场效应管时， 由于结型场效应管结构是对称的， 所以 极和 极 可互换。 MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极 也可互换。 3 ．当场效应管工作于线性区时，其漏极电流 iD 只受电压 的控制，而与 电压 几乎无关。耗尽型 iD 的表达式为 ，增强型 i D 的表达 式为 。 4 ．某耗尽型 MOS 管的转移曲线如题 3.1.4 图所示， 由图可知该管的 IDSS ，U P= 。 5 ． 一 个 结 型 场 效 应 管 的 电 流 方 程 为 2 U GS I D 16 1 (mA) ，则该管的 I DSS ， 4 U = ；当 u 0 时的 g 。 P GS m 题 3.1.4 图 6．N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求 0 uGS ， uDS ；而 N 沟道增强型 MOS 管工作于放大状态时，要 求 uGS ， uDS 。 7 ．耗尽型场效应管可采用 偏压电路， 增强型场效应管只能采用 偏 置电路。 8 ．在共源放大电路中，若源极电阻 R 增大，则该电路的漏极电流 I ， s D 跨导 gm ，电压放大倍数 。 9．源极跟随器的输出电阻与 和 有关。 答案： 1．结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。 2 ．漏，源，源，漏，源。 2 2 uGS uGS 3 ．uGS ，uDS ， iD I DSS 1 ，i D IDO 1 。4 ．4mA ， 3V 。5．16mA ， U P UT 模拟电子技术基础 19 4V ，8ms 。6．U ， u U ，U ， u U 。7 ．自给，分压式。 8．减小，减小， p GS P T GS T 减小。 9． g ， R 。 m s 3.2 选择题 1．P 沟道结型场效应管中的载流子是 。 A ．自由电