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膜片钳技术讲座幻灯 激活（Activation） 通常用激活曲线表示，反映通道开启的难易程度。 g/gmax= 1-{1+exp[(Vm-V1/2)/K]}-1 gNa=INa/(E-ENa), E为去极化钳制电位，ENa为钠通道的平衡电位。 Vm(mV) g/gmax 膜片钳技术讲座幻灯 失活 通道的失活有两种情况： 1. 衰减（Decay）: 指通道在激活因素持续存在条件下的关闭，全细胞电流的衰减反映通道的失活快慢，用衰减的时间常数或10-90%时间来表示。 2. 稳态失活（Steady-state inactivation）: 它反映通道失活数目的电压依赖性。一般用失活曲线（Inactivation curve）来表示。 膜片钳技术讲座幻灯 衰减（Decay） 电流的衰减过程可用单指数方程或双指数方程拟合（Fit）： Y = A1exp[-(t-k) /τ]+A2 或 Y = A2exp[-(t-k) /τ2] + A1 exp[-(t-k) /τ1]+C τ2 τ1 膜片钳技术讲座幻灯 稳态失活（Steady-state inactivation） 采用双脉冲方波实验方法。 膜片钳技术讲座幻灯 采用Boltzmann方程对失活曲线进行拟合 I / Imax= {1+exp[(V-V1/2)/k]}-1 膜片钳技术讲座幻灯 失活后的恢复 采用双脉冲方波实验方法。 2nA 20ms -50mV Vh= -90mV 膜片钳技术讲座幻灯 I-V曲线（Current-voltage curve） 电流-电压关系曲线。可反映通道的如下动力学参数： 激活过程 阈电位 反转电位 整流特性 膜片钳技术讲座幻灯 整流（Rectification） 电流和电压的关系不满足欧姆定律的直线关系。原因是离子通道的开放导致膜电阻发生了变化。 有整流 无整流 V=IRc V=IRv 离子通道不开放时 膜的被动反应 离子通道开放时 膜的主动反应 膜片钳技术讲座幻灯 外向整流 随膜电位的去极化，I-V曲线明显向Y轴（电流轴）靠近。如IK电流。 内向整流 随膜电位的去极化，I-V曲线明显向X轴（电压轴）靠近。如烟碱电流。 IK电流的外向整流 烟碱电流的内向整流 去极化方向 去极化方向 膜片钳技术讲座幻灯 去激活（Deactivation） 指通道在激活因素结束时的关闭过程，所记录到的电流称为尾电流（Tail current）。 5ms 2nA Vh=-100mV -40mV -70mV 膜片钳技术讲座幻灯 尾电流的电压依赖性 膜片钳技术讲座幻灯 尾电流的电压依赖性 25ms 1nA 0 mV -70 mV Vh= - 9 0 mV 膜片钳技术讲座幻灯 电流的Rundown现象 指随着记录时间的延续，通道电流逐渐降低的现象。许多种类的细胞其钙电流都具有Rundown现象。全细胞封接模式形成以后，由于电极充灌液迅速充斥于细胞内，细胞内大分子成分与之形成交换透析，造成稀释或丢失。同时，细胞内ATP也因稀释而严重不足，但钙离子的外排耗能却较大，这是导致Rundown现象发生的直接原因。 膜片钳技术讲座幻灯 减小电流Rundown的方法： 1. 电极内充灌ATP、GTP等可减弱Rundown发生速率。 2. 采用穿孔式膜片钳记录方法（Perforated patch clamp），由于其只在细胞膜上用药物形成微小孔洞而不打破细胞膜，所以细胞内大分子成分和ATP均不会被稀释或丢失，能够有效地抑制Rundown现象的发生。 膜片钳技术讲座幻灯 2. 配体门控性离子通道的动力学 浓度依赖性（Dose-dependent） 电压依赖性（Voltage-dependent） 失敏（Desensitization） 使用依赖性（Use-dependent） 膜片钳技术讲座幻灯 细胞外 细胞内 膜片钳技术讲座幻灯 Glu受体电流 2 s 1 nA 500 ms 1 nA 膜片钳技术讲座幻灯 GABAA受体电流 膜片钳技术讲座幻灯 3. 自发突触活动分析 微小兴奋性突触后电流 （Miniature excitatory post synaptic current, mEPSC） mEPSC是突触前膜Glu随机量子释放引起的突触后膜反应，其频率的增高一般反映单位时间内Glu随机量子释放的数目增加，它不受TTX的影响。 膜片钳技术讲座幻灯 自发兴奋性突触后电流 （Spontaneous excitatory pos