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2 .下列离子方程式书写不正确的是 ( ) A .往 NaOH 溶液中通入少量 CO 2 : CO 2 + OH - ===HCO 3 - B . H 2 SiO 3 与 NaOH 溶液混合: 2OH - + H 2 SiO 3 ===2H 2 O + SiO 3 2 - C .石英砂与烧碱反应制水玻璃: SiO 2 + 2OH - ===SiO 3 2 - + H 2 O D .往水玻璃中通入二氧化碳: Na 2 SiO 3 + H 2 O + CO 2 ===H 2 SiO 3 ↓ + 2Na + + CO 3 2 - 变式训练 解析 : 选 AD 。 A 项中通入少量 CO 2 ,应生 成 Na 2 CO 3 ,而不是 NaHCO 3 ,故错误。 B 项中 H 2 SiO 3 是难溶性酸,在离子方程式中应写化学 式,正确。 C 、 D 中 Na 2 SiO 3 为钠盐,溶于水, 写离子形式,所以 C 项正确, D 项错误。 1 .硅的化学性质 常温下,硅的化学性质不活泼。加热时可 与一些非金属及其他物质反应。 (1) 常温下,除能与氟气、氢氟酸和强碱反 应外,硅不与氧气、氯气、硫酸、硝酸、盐酸 等其他物质发生反应。 ①与氟气反应: Si + 2F 2 ===SiF 4 ; ②与氢氟酸反应: Si + 4HF===SiF 4 ↑ + 2H 2 ↑ ; ③与 NaOH 溶液反应: Si + 2NaOH + H 2 O===Na 2 SiO 3 + 2H 2 ↑ 。 要点三 单质硅的化学性质及制备 (2) 加热时,硅能与氧气、氯气等反应,也 能与碳反应。 ①与 O 2 反应: Si + O 2 ===== 点燃 SiO 2 ; ②与 Cl 2 反应: Si + 2Cl 2 ===== △ SiCl 4 ; ③与 C 反应: Si + C===== 高温 SiC 。 2 .硅的制备 硅单质是由其氧化物制得的,主要分为两 个阶段: 粗硅的制备 原理 SiO 2 + 2C===== 高温 电炉 Si( 粗 ) + 2CO ↑ ? 粗硅的提纯 原理 Si( 粗 ) + 2Cl 2 ===== 加热 SiCl 4 SiCl 4 + 2H 2 ===== 高温 Si( 纯 ) + 4HCl 1 . Si 是能与 NaOH 溶液反应放出 H 2 的 非金属单质, Al 是能与 NaOH 溶液反应放出 H 2 的金属单质,推断题中常以此点作为突 破口。 特别提醒 2 . 在 SiO 2 + 2C===== 高温 Si + 2CO ↑ 反应中 SiO 2 是氧化剂, C 是还原剂,在 SiO 2 + 3C===== 高温 SiC + 2CO ↑ 反应中, C 既是氧化剂又是还原剂。 (2008 年高考广东卷改编题 ) 硅单质及其化 合物应用范围很广。请回答下列问题: (1) 制备硅半导体材料必须先得到高纯硅, 三氯甲硅烷 (SiHCl 3 ) 还原法是当前制备高纯硅 的主要方法,生产过程示意图如下: 例 3 石英砂 ―― → ①焦炭 高温 粗硅 ――― ― → ② HCl 573 K 以上 SiHCl 3 ( 粗 ) ―― → ③精馏 SiHCl 3 ( 纯 ) ――― → ④ H 2 1357 K 高纯硅 ①写出由纯 SiHCl 3 制备高纯硅的化学反应 方程式 __________________________________ _________________________________________ ______________________________________ 。 ②整个制备过程必须严格控制无水无氧。 SiHCl 3 遇水剧烈反应生成 H 2 SiO 3 、 HCl 和另一 种物质,写出配平的化学反应方程式 ________ ____________________ ; H 2 还原 SiHCl 3 过程中 若混入 O 2 ,可能引起的后果是 ______________ _________________________________________ _________________ 。 学 习 目 标 1. 了解 SiO 2 、 H 2 SiO 3 的主要性 质。 2. 了解硅、硅酸盐的主要性质。 3. 了解几种重要无机非金属材 料的生产及用途。 4. 了解晶体硅的重要用途。 硅在地壳中的含量仅次于 ,硅的氧化物和硅 酸盐约占地壳质量的 90% 以上;硅原子最外层有 个电子,主要形成 价的化合物。
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