第三章半导体中载流子的统计分布_图文(精).docxVIP

Solution of Chapter 3 Nuo Liu, Jiangang Ni School of Microelectronic and Solid State Electronics Department of Microelectronic Science and Technology UESTC Nuo Liu, Jiangang Ni Nuo Liu, Jiangang Ni 4、画出、室温 (、三个温度下的费米分布函数曲线 ,并进行比较。 随着温度的升高 ,电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降 ,而占据能量 大于费米能级的量子态的概率增大。 C ° 27C ° -78C ° 500 Nuo Liu, Jiangang Ni K T D cm N K T D cm N K T D cm N K T D cm N D D D D 5.160%10103.241102.37%1101317 3 14 3 17 3 14============-------- 时,当时 ,当(时 ,当时 ,当( ④如温度升高到 500K，计算③中电子和空穴的浓度 （本征载流子浓度、数值 查图 3-7）。 ④： K 时 500 查图 3 - 7 得： ni = 4 × 1014 cm -3 N Aeff = N A - N D = 5.2 × 1015 - 4.6 ×1015=6 × 1014 要cm考-虑3本征≈激ni发(，为过渡区 ? n0 + N A = p0 + N D ? ? 2 ? n0 p0 = ni ? 2 [ N A - N D （N A - N D ） + 4ni 2 ]1/ 2 4 + = 6.69 ×1014 cm - 3 p0 = 2 2 2 ni 2 （4 ×1014） = = 2.76 × 1014 cm -3 n0 = 14 p0 6.69 ×10 2 （N A - N D ）（ N A - N D ） + 4ni 2 ]1/ 2 +[ 相应的 EF = Ei - k0T ln{ } 2ni 1.38 × 10-23 ×5006 × 1014 + [(6 × 1014 2 + 4(4 × 1014 2 ]1/ 2 = Ei - ln{ } 14 -19 1.602 × 10 2 × 4 × 10 = Ei -9eV0.029Nuo Liu, Jiangang Ni 21、试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生简并时的杂质浓 度为多少？ + 由 电中性条件： n0 = n D 解： ∴ 2 Nc π F1 ( 2 E F - EC = k 0T ND E - ED 1 + 2 exp( F k 0T E - EC EF - ED ] × F1 ( F k 0T k∴0TND2 = = 2 Nc 2 Nc π [1 + 2 exp( π [1 + 2 exp( E - EC E F - Ec ?E exp( D ] F1 ( F×k 0T k 0T k 0T 2 弱简并条件： EC - E F ≤ 2k 0T 〈 0 故开始发生弱简并时有： EC - E F = 2k 0T ∴ ND = 2 Nc [1 + 2 exp(-2 exp( 2 × 2.8 × 1019 ?E D ] × F1 (-2 k 0T 2 0.044 ] × 0.1 = 7.81 × 1018 cm -3 0.02 对于 Si： N D = 对于 Ge：N D = 3.14 2 × 1.05 × 1019 3.14 [1 + 2 exp(-(20exp.012 ] 0.1 = 1.69× 1018 cm -3 Nuo Liu, Jiangang Ni 0.026 [1 + 2 exp(-2 exp( 22、利用上题结果，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱 简并时有多少施 主发生电离？导带中电子浓度为多少？  弱简并条件：  EC-EF  解：  2 Nc = 2k0T EF - EC 2 × 2.8 × 1019 F1 ( = × 0.1 = 3.16 对×于1018Si：cmn0 -=3 π 2 k0T 3.14 3.16 ∴ 施主电离了 × 100% = 40.5% 7.81 EF - EC 2 Nc 2 × 1.05 ×对1019于Ge=：n0 = × 0.1 = 1.19 × 1018 cm -3 F1 ( π 2 k0T∴3.14施主1.电19离了 ×100% = 70.4% 1.69 Nuo Liu, Jiangang Ni