薄膜物理表面与界面.pptVIP

薄膜物理;表面双电层和表面势 电接触;在研究薄膜中，表面—固体和气体或真空的分界面 界面—固体和固体的分界面 由于界面两边物质的浓度或者结构不同，界面处的原子排布和电子结构与物质内部不同。因而电子的静电电位也不相同。通常在界面处产生一个双电层。这是因为界面处的原子排布和电子结构与物质内部不同，在材料的禁带中产生了电子的界面态。 对于表面来说，由于表面态的存在而产生一个表面双电层。因此将表面分为几何表面和物理表面。 几何表面—表面的几何分界面 物理表面—一个电子结构不同于内部的表面区域 由于具体的材料不同，表面区的厚度有很大的差异 ;一、表面双电层和表面势; 为了得出电子的波函数在表面附近的变化，可以求解薛定愕方程。这样得到的波函数表明，随着离表面的距离增大，电子的分布几率成指数性下降。 表面区的电荷分布与电位的关系服从泊松方程。包括所有离子实和电子的精确计算不但很繁，而且依从于晶体的具体结构。由于表面原子排列的严格周期性，金属表面的电荷分布实际上如图所示。 ; 晶体中原子排列的三维周期性在表面处突然中断，表面层中的原子可能发生重新排列；导致在垂直表面方向上产生表面弛豫，在平行表面方向上发生重构。除此以外，在表面上还可能存在台阶和凸凹。 弛豫—表面向下收缩，表面层原子与内层原子间距离比内层原子相互之间 有所减小。 重构—在平行表面方向上原子重排。 ; 与内部原子相比，固体的表面原子有较高的位能，因而表面活性较大，易于吸附外来原子，形成污染表面。经常遇到的固体表面，就是这种不清洁的表面。 外来原子可以是从气相中吸附来的，也可以是从固体内部偏析(分凝)出来的。外来原子在固体表面上可以形成各种表面结构，如排列有序的单原子层、多原子层、或者形成化合物、固溶体。 ;(2)半导体表面的双电层和表面势 在半导体的物理表面中，包括有表面层和空间电荷层。虽然可用薛定愕方程求解波函数，以说明半导体表面的电荷分布，但是最直观简洁的方法还是用化学键。 以硅晶体为例，因晶格在表面处突然终止，在表面最外层的每个硅原子有一个未成键的电子，或者说有一个未配对的电子，即有一个未被饱和的键，如下图所示。这个键称为悬挂键。在该键中有一个未被填充的能态，这种能态就称为表面态。它将处在禁带中，起电子的陷阱作用。 ; 半导体表面也有理想表面、实际表面和污染表面。实际应用的半导体薄膜常有污染表面，这种薄膜是n型或者p型半导体，其厚度为几十到几千nm。 在实际表面上，除了悬挂键中的陷阱以外，还有表面的结构型缺陷(如弛豫，重构等)所产生受主或施主。因为这种缺陷扰动了半导体的正常共价键，所以表面上的杂质缺陷也扰动共价键，因而也产生受主或者施主。表面吸附气体以后，一些气体的作用如施主，面另一些却如受主。 由上述种种原因所造成的表面态，使表面层带有过剩电荷，因面在表面层下产生聚集层或者耗尽层、甚至反型的空间电荷层。 ;以n型半导体薄膜为例来说明 若陷在表面层的过剩电荷为正电荷，则对电子来说，在空间电荷层的静电势能将被降低，因而电子被聚集在空间电荷层，使表面区(物理表面)更加导电。对于空穴来说，则正好相反。表面层中的过剩电荷是被束缚住的，因而位置是固定的，电导的增加是由于在空间电荷层所聚集的电荷。 若表面层的过剩电荷为负，空间电荷层中的静电势能对电子来说将是升高、对空穴来说则是降低，因而电子将从空间电荷层流走，形成电子的耗尽层，表面区将比内部更不易导电。若表面层的过剩负电荷很多，对空穴的势能将很低，以致n型半导体的空间电荷层转为p型层，即成为反型层。 对于p型半导体薄膜，情况刚好与n型半导体相反。为了清楚地说明这种情况，引入下图。 ;(3)介质表面的双电层和表面势 类似于半导体，在介质表面也存在表面态，因为在它的表面也形成双电层。 ;(4)表面态的分布 在表面层产生的许多能带统称为表面态。 产生表面态的原因有三个：(1)晶格在表面的突然终止 (2)表面层的结构缺陷和杂质 (3)表面上的吸附 ; 由于表面原子层被内层所吸引，它们到内层的间距比内部各原子层间的距离要小，即有弛豫现象。这相当于在薛定愕方程中添加一个微扰项，使电子的表面能级转化为能达到几个电子伏的表面能带。有人分析了清洁硅表面的能态，证明确实存在着表面