光刻与刻蚀工艺流程课件.pptVIP

湿法刻蚀的缺点 ? ? ? ? 各向同性 不能刻蚀 3 m m 以下图形 化学品使用量高 化学品危险 – 液体腐蚀 – 烟熏 – 爆炸危险 Jincheng Zhang 干法刻蚀 ? 优点： 各向异性腐蚀强； 分辨率高； 刻蚀 3 μ m 以下线条。 ? ①等离子体刻蚀：化学性刻蚀； 类型： ②溅射刻蚀：纯物理刻蚀； ③反应离子刻蚀（ RIE ）：结合① 、②； ? Plasma Etch 等离子体刻蚀 Jincheng Zhang 干法刻蚀和湿法刻蚀的比较 Jincheng Zhang 等离子体（ Plasma ）刻蚀 ? a. 产生等离子体 : 刻蚀气体经辉光放电后，成为 具有很强化学活性的离子及游离基 -- 等离子体。 CF 4 RF CF 3 * 、 CF 2 * 、 CF * 、 F * BCl 3 RF BCl 3 * 、 BCl 2 * 、 Cl * b. 等离子体活性基团与被刻蚀材料发生化学反应。 ? 特点：选择性好；各向异性差。 ? 刻蚀气体： CF 4 、 BCl 3 、 CCl 4 、 CHCl 3 、 SF 6 等。 Jincheng Zhang 溅射刻蚀 a. 形成能量很高的等离子体； b. 等离子体轰击被刻蚀的材料，使其被撞原子飞溅出 来，形成刻蚀。 特点：各向异性好；选择性差。 刻蚀气体：惰性气体； Jincheng Zhang ? ? ? 反应离子刻蚀 Reactive Ion Etch (RIE) ? 同时利用了等离子刻蚀和溅射刻蚀机制 ( 化学刻蚀和物 理刻蚀的结合 ) ? ? ? 活性离子反应＋离子轰击 刻蚀气体：与等离子体刻蚀相同 特点：刻蚀速率高且可控；刻蚀剖面各向异性且可控； 选择性好且可控 ? 目前 8 英寸制造中所有图形都是由 RIE 刻蚀的 Jincheng Zhang Dielectric Etch ? ? Etch oxide – Doped and undoped silicate glass – Contact (PSG or BPSG) – Via (USG, FSG or low- k dielectric) Etch nitride – STI （浅槽隔离） – Bonding pad （钝化层） Jincheng Zhang Dielectric Etch ? ? ? ? Fluorine chemistry 4F + SiO 2 ? SiF 4 +2O CF 4 is commonly used as fluorine source NF 3 and SF 6 have also been used Jincheng Zhang Single Crystal Silicon Etch ? ? Small amount O 2 for sidewall passivation A little NF 3 for preventing black silicon Jincheng Zhang Polysilicon Etch ? ? ? ? Gates and local interconnections – Most critical etch process, smallest CD Capacitor electrodes for DRAM Require high selectivity over silicon dioxide Cl 2 chemistry Jincheng Zhang Metal Etch ? ? ? ? ? ? For metal interconnection Metal stack: TiN/Al?Cu/Ti Cl 2 as the main etchant BCl 3 , N 2 are used for sidewall passivation O 2 is used to improve selectivity to oxide Main challenges: etch profile and avoiding etch residue Jincheng Zhang Metal Etch Chemistries Jincheng Zhang 刻蚀总结 ? ? ? ? 湿法刻蚀：化学刻蚀，各向同性，工艺简单，选择性高， 粗线条， 干法刻蚀：物理和 / 或化学（三种工艺），各向异性，设备 复杂，分辨率高，细线条 VLSI 广泛使用干法刻蚀 针对不同的材料，其典型的湿法腐蚀液（配方）及干法腐 蚀剂 Jincheng Zhang 提高分辨率 ? ? ? 提高 NA – 更大的凸镜 , 可能很昂贵而不实际 – 减小 DOF （焦深） ，会引起制造困难 减小光波长 – 开发新光源 , PR 和设备