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模拟电子技术基础;章目录;已知图示放大电路中三极管的 ? =60，rbe=3k?。;引言：多级放大输入级提高Ri的途径;+?vBE;引言;109?;8 场效应管及其放大电路;8.2 结型场效应管;8.2.1 结型场效应管的结构和工作原理;(2) 工作原理;结论:? 可变电阻(受vGS控制) ? 耗尽型(沟道被耗尽时为全夹断);(2) 工作原理;(2) 工作原理;综上分析可知;8.2.2 结型场效应管的特性曲线及参数;(1) 输出特性;# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？;8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管;(1) 结构和符号;(2) 基本工作原理;(2) 基本工作原理;(a) 输出特性及特性方程;(b) 转移特性;8.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管;N沟道耗尽型MOSFET特性曲线;8.1.4 MOS场效应管的主要参数;MOS晶体管工作原理小结;MOS晶体管工作原理小结;8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础;分析思路;8.3.1 场效应管放大电路的静态分析;电压分压器偏置; 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析; 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析;例8.3.4;MOS共源电路的电压传输特性;MOS共源电路的电压传输特性;8.3.2 场效应管的微变等效电路;三种N沟道FET的小信号等效电路(模型);2. 场效应管的高频小信号等效模型 ; 2. 场效应管的高频小信号等效模型 ; 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 ; (1) 共源极放大电路的动态分析;正赃寿蒲报距膜京且衬徒摄呀裂赤蝎逝茧蜘颜谗尉常裴荣褪扰败酱忻顶谅11-48-zch0场效应管及放大411-48-zch0场效应管及放大4;汗艾妥聪艘柬爬软午晕张幕具妈和浚闷差叭证赂唯炒楚恰热碟莉五围绰勾11-48-zch0场效应管及放大411-48-zch0场效应管及放大4; 电路如图8.3.1b所示，已知VDD=5V， Rd=5k?，R=0， Rg1=300k?，Rg2=200k?，RL=5k?，场效应管的参数为VT=1V，Kn=0.5mA/V2，rds可以视为无穷大，试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。; (2) 共漏极放大电路的动态分析;图8.3.7 求共漏极放大电路Ro的电路;例8.3.4;例8.3.4; 4. 场效应管三种放大电路的性能比较;教学基本要求;例8.3.1