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模拟电路复习提纲 模拟电路复习提纲 08 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 模拟电路复习提纲 08 08自动化一班 306雄霸天下 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 .半导体一 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 （如硅Si、错Ge）。 .特性---光敏、热敏和掺杂特性。 .本征半导体--纯净的具有单晶体结构的半导体。 .两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 .杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性 *P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） *N 型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 杂质半导体的特性 载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 体电阻一通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 转型… 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 PN 结的接触电位差 一 硅材料约为0.6?0.8V ,错材料约为 0.2?0.3V。 PN 结的单向导电性 一正偏导通，反偏截止。 PN结的伏安特性 :.半导体二极管 单向导电性 正向导通，反向截止 二极管伏安特性-一 同PN结。 正向导通压降—— 硅管0.6?0.7V ,错管0.2?0.3V 死区电压—— 硅管0.5V ,错管0.1V。 3.分析方法—— 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 1）图解分析法 ￡小二」|,|广,I速 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 等效电路法 ? 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 *三种模型 ? 微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路 所以稳压二极管在电路中要反向连*稳压二极管的特性一正常工作时处在 PN结的反向击穿区, 接。 所以稳压二极管在电路中要反向连 ■ W/m A 松J k管的伏安特柞 第二章三极管及其基本放大电路 .三极管的结构、类型及特点 .类型… 分为NPN和PNP两种。 .特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 .三极管的工作原理 .三极管的三种基本组态 ㈤共发射械盥态 山）共集电极蛆态 2共基极组态 .三极管内各极电流的分配 七=/CN + 4 = /bn + Ja =a + k /?=/14 - 4 BO *共发射极电流放大系数 （表明三极管是电流控制器件 *：= ,此 十 )/C ”3 =7/，B+，CE。 式子称为穿透电流。 .共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 （4）前试电滞 o NC1/V输出抬也曲窗（Q的化的 o NC1/V 输出抬也曲窗 （Q的化的H窗改等效等港 *输出特性曲线 （饱和管压降，用 UCes表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 .温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升|Wj I CB6 I CEO、 I C以及3均增加 .低频小信号等效模型（简化） hie-输出端交流短路时的输入电阻， 常用「be表示； hfe -——输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用B表示； .基本放大电路组成及其原则 . VT、 V、 R、 R、C、C2的作用。 .组成原则----能放大、不失真、能传输 五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 概念一直流电流通的回路。 画法一电容视为开路。 作用一确定静态工作点 直流负载线---由VCc=IcR+UCe确定的直线。 *电路参数对静态工作点的影响 闻硼 ICC Moi 后* —“Men G?)改变心 (b)改变/ (c)改交1 ）改变R : Q点将沿直流负载线上下移动。 ）改变R : Q点在I b斯在的那条输出特性曲线上移动 ）改变Vcc：直流负载线平移， Q点发生移动。 .交流通路与动态分析 概念一 交流电流流通的回路 画法一 电容视为短路，理想直流电压源视为短路。 作用一分析信号被放大的过程。 交流负载线 一 连接Q点和V CC‘点 V CC = UCeq+I ccR l，的 直线 .静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 模拟电路复习提纲 模拟电路复习提纲 模拟电路复习提纲 模拟电路复习提纲 产生原因一Q点设置过低 失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。 消除方法一减小Rb,提高Q。 (2) 饱和失真 产生原因一Q点设置过高 失真现象---NPN管削底，PNP管削顶