第2章+单晶电子衍射图的分析及标定.pptVIP

FIGURE 2.13. Several kinds of DPs obtained from a range of materials in a conventional 100-kV TEM: (A) amorphous carbon, (B) an Al single crystal, (C) polycrystalline Au, (D) Si illuminated with a convergent beam of electrons. In all cases the direct beam of electrons is responsible for the bright intensity at the center of the pattern and the scattered beams account for the spots or rings that appear around the direct beam.;形成原理、典型衍射花样、花样特征;电子束方向B近似平行于晶带轴[uvw]，因为θ很小，即入射束近似平行于衍射晶面。 反射球很大，θ很小，在0*附近反射球近似为平面。 ??易点阵的扩展。（因为使用薄晶体样品）;标定主要是指将花样指数化，其目的包括：;已知单晶花样是一个零层二维倒易截面，其倒易点规则排列，具有明显对称性，且处于二维网络的格点上。 表达花样对称性的基本单元为平行四边形。 ;如图所示，选择平行四边形。 ;2.2 单晶电子衍射花样的标定;2.2.1 已知晶体结构衍射花样的标定;测定各衍射斑点之间的夹角。;决定了两个斑点后，其它斑点可以根据矢量运算求得;2.2.2 未知晶体结构衍射花样的标定;三、标准花样对照法 ;;;;;四、根据衍射斑点特征平行四边形的查表方法; ********** Ni ********** PARAMETERS A= 3.5970 B= 3.5970 C= 3.5970 AF= 90.000 BT= 90.000 GM= 90.000 NUVW= 6 NSY= 1 NL= 1 SY: 1-CUBIC; 2-TETRA; 3-ORTH; 4-HEX; 5-MONO; 6-TRIC LT: 1-F; 2-I; 3-C; 4-B; 5-A; 6-P; 7-R; K U V W H1 K1 L1 H2 K2 L2 R2/R1 R3/R1 FAI D1 D2 1 1 1 1 0 2 -2 -2 0 2 1.000 1.000 120.00 1.272 1.272 2 6 5 3 -1 3 -3 -3 3 1 1.000 1.026 61.73 .825 .825 3 6 5 2 -2 4 -4 -4 4 2 1.000 1.054 63.61 .599 .599 4 4 2 1 0 2 -4 -2 4 0 1.000 1.095 66.42 .804 .804 5 1 1 0 -1 1 -1 -1 1 1 1.000 1.155 70.53 2.077 2.077 6 5 3 1 2 -4 2 2 -2 -4 1.000 1.291 80.41 .734 .734 7 5 2 1 1 -3 1 1 -1 -3 1.000 1.348 84.78 1.085 1.085; K U V W H1 K1 L1 H2 K2 L2 R2/R1 R3/R1 FAI D1 D2 8 1 0 0 0 -2 0 0 0 -2 1.000 1.414 90.00 1.798 1.798 9 4 3 2