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感应加热 DIY 教程
感应加热 DIY 教程
总体架构:
串联谐振 2.5KW 锁相环追频 ZVS ,MOSFET 全桥逆变;
磁芯变压器两档阻抗变换,水冷散热,市电自耦调压调功,母线过流保护。
在开始制作之前,有必要明确一些基础性原理及概念,这样才不至于一头雾水。
一.加热机制(扫盲用,高手跳过)
1.1 涡流,只要是金属物体处于交变磁场中,都会产生涡流,强大的高密度涡流能迅速使工件升温。这个机制在所有电阻率不为
无穷大的导体中均存在。
1.2 感应环流,工件相当于一个短路的 1 匝线圈,与感应线圈构成一个空心变压器,由于电流比等于匝比的反比,工件上的电
流是感应线圈中电流的 N (匝数)倍,强大的感应短路电流使工件迅速升温。这个机制在任何导体中均存在,恒定磁通密度情
况下,工件与磁场矢量正交的面积越大,工件上感生的电流越大,效率越高。由此可看出,大磁通切割面积的工件比小面积的
工件更容易获得高温。
1.3 磁畴摩擦(在铁磁体内存在着无数个线度约为 10-4m 的原本已经磁化了的小区域,这些小区域叫磁畴) ,铁磁性物质的磁
畴,在交变磁场的磁化与逆磁环作用下,剧烈摩擦,产生高温。这个机制在铁磁性物质中占主导。
由此可看出,不同材料的工件,因为加热的机制不同,造成的加热效果也不一样。其中铁磁物质三中机制都占,加热效果最好。
铁磁质加热到居里点以上时,转为顺磁性,磁畴机制减退甚至消失。这时只能靠剩余两个机制继续加热。
当工件越过居里点后,磁感应现象减弱,线圈等效阻抗大幅下降,致使谐振回路电流增大。越过居里点后,线圈电感量也跟着
下降。 LC 回路的固有谐振频率会发生变化。致使固定激励方式的加热器失谐而造成设备损坏或效率大减。
二.为什么要采用谐振?应采用何种谐振?
2.1 先回答第一个问题。我曾经以为只要往感应线圈中通入足够强的电流,就成一台感应加热设备了。也对此做了一个实验,见
下图。
实验中确实有加热效果,但是远远没有达到电源的输出功率应有的效果。这是为什么呢,我们来分析一下,显然,对于固定的
工件,加热效果与逆变器实际输出功率成正比。对于感应线圈,基本呈现纯感性,也就是其间的电流变化永远落后于两端电压
的变化,也就是说电压达到峰值的时候,电流还未达到峰值,功率因数很低。我们知道,功率等于电压波形与电流波形的重叠
面积,而在电感中,电流与电压波形是错开一个角度的,这时的重叠面积很小,即便其中通过了巨大的电流,也是做无用功。
这是如果单纯的计算 P=UI ,得到的只是无功功率。
而对于电容,正好相反,其间的电流永远超前于电压变化。如果将电容与电感构成串联或并联谐振,一个超前,一个滞后,谐
振时正好抵消掉。因此电容在这里也叫功率补偿电容。这时从激励源来看,相当于向一个纯阻性负载供电,电流波形与电压波
形完全重合,输出最大的有功功率。这就是为什么要采取串(并)补偿电容构成谐振的主要原因。
2.2 第二个问题, LC 谐振有串联谐振和并联谐振,该采用什么结构呢。
说得直白一点,并联谐振回路,谐振电压等于激励源电压,而槽路( TANK )中的电流等于激励电流的 Q 倍。串联谐振回路的
槽路电流等于激励源电流,而 L,C 两端的电压等于激励源电压的 Q 倍,各有千秋。
从电路结构来看:
对于恒压源激励(半桥,全桥) ,应该采用串联谐振回路,因为供电电压恒定,电流越大,输出功率也就越大,对于串联谐振电
路,在谐振点时整个回路阻抗最小,谐振电流也达到最大值,输出最大功率。串联谐振时,空载的回路 Q 值最高, L,C 两端电
压较高,槽路电流白白浪费在回路电阻上,发热巨大。
对于恒流源激励(如单管电路) ,应采用并联谐振,自由谐振时 LC 端电压很高,因此能获得很大功率。并联谐振有个很重要的
优点,就是空载时回路电流最小,发热功率也很小。值得一提的是,从实验效果来看,同样的谐振电容和加热线圈,同样的驱
动功率,并联谐振适合加热体积较大的工件,串联谐振适合加热体积小的工件。
三. 制作过程
明白了以上原理后,可以着手打造我们的感应加热设备了。我们制作的这个设备主要由调压整流电源、锁相环、死区时间发生
器、 GDT 电路、 MOS 桥、阻抗变换变压器、 LC 槽路以及散热系统几大部分组成,见下图。
我们再来对构成系统的原理图进行一些分析,如下:
槽路部分:
从上图可以看出, C1 、C2 、C3 、
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