第12章 光刻：掩膜,光刻胶和光刻机(课件).pptVIP

第十一章 光 刻; 光刻是一种图象复印的技术，是集成电路制程中一项关键的工艺技术。在整个工艺流程中，光刻的步骤占到50％以上，其成本占总制造成本的1/3以上。; 简单的说，光刻就是用照相复印的方法，将掩膜版上之图形精确地复印到涂在硅片表面的光致抗蚀剂（Photoresist）（下面统称光刻胶）上面，然后在光刻胶的保护下对硅片进行离子注入，刻蚀，薄膜淀积等各种工艺。 ;11.1 光刻工艺的8个基本步骤;后烘;一．成底膜处理（HMDS Coating）;亲水性表面;;分滴;SVG 90 涂胶台;;前烘条件的选取，对光刻胶的溶剂挥发量和光刻胶的粘附特性，曝光特性，显影特性以及线宽的精确控制都有较大的影响。 没有经过前烘的可能后果： 光刻胶薄膜发黏，容易受到颗粒沾污。 旋转涂胶的内在应力将导致粘附性问题。 溶剂含量过高导致显影时溶解差异，难以区分曝光和未曝光的光刻胶。 溶剂在曝光时受热挥发，沾污光学系统透镜。 ;前烘设备;四. 对准与曝光; 简单光学曝光系统示意图;在光学光刻中常用的UV波长; 传统的三种曝光方式;接触式曝光机 ---Canon 501;Canon 600 Scanner;;;浸没式;喷流式;TEL ACT-8 光刻 胶涂覆和显影系统;七. 坚膜烘焙（Hard Bake）;八. 显影后检查（Inspection）;工艺线直击——光刻过程;11.2 掩模版（Photomask）; 掩膜版的材料; 光学工程师将用户数据转换为写入系统所能接受的格式。包括数据分割，尺寸标记，图形旋转，增加套刻标记，内部参照标记，以及一个jobdeck（掩膜上不同图形的位置的说明）。 ; 掩膜版上用于Stepper对准的套刻标记;掩膜版上的参照标记 ;掩膜版的制备;;掩模版制作过程;掩膜版缺陷;一些典型的掩模板缺陷;工艺线直击——掩膜版制备;先进掩膜概念;on wafer;调制传输函数（MTF）;一般要求MTF0.5 与尺寸有关;光学光刻分辨率增强技术(RET) ;OPC实例;光学临近效应修正（OPC）; S是描述曝光的矩阵，包含所有光学系统的信息。理想的S是一个单位矩阵，实际上S包含了对应图形畸变的非对角线因素。 OPC的工作就是求出S -1，如果确定了S -1，用它作用于原来的掩膜，就可以得到一块新版M ’。 M ’＝S -1M 然后W＝SM ’＝SS -1M=M;11.3 光刻胶（Photoresist，PR）;;;溶剂（solvent）：使光刻胶保持液体状态。绝大多数的溶剂在曝光前挥发除去，对光刻胶的化学性质几乎没有影响。 添加剂（additive）：用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性，也包括控制光刻胶反射率的染色剂。;; i-Line 光刻胶曝光反应机理 ; 深紫外光刻胶曝光反应机理;;;;;;光刻胶对比度曲线;理想光刻胶－理想曝光; 临界调制传输函数（CMTF）;七. 抗蚀性;; 相比较，正胶有较高的分辨率，较强的抗干法腐蚀能力和抗热处理能力，但粘附性较差，抗湿法腐蚀能力差。负胶有很高的感光速度，好的粘附性和抗蚀能力，但分辨率低，不适合细线条光刻。 ;表面反射和驻波效应;驻波：由于入射光和反射光间的相长与相消干涉造成。驻波造成光刻胶中的光强随厚度变化，由于曝光的变化产生光刻胶溶解率的变化，则表现为光刻胶侧壁出现螺旋状条纹。;11.4 光刻系统;;三种曝光方式;接触式曝光机 ---Canon 501;接触式和接近曝光的问题;投影式——远场衍射（Fraunhofer） 像平面远离孔径，在孔径和像之间设置镜头;两个爱里斑之间的分辨率（瑞利判据）：;NA(Numerical Aperture); 透镜俘获衍射光;11.4.3 投影式光刻机三要素;光源; 焦深（DoF）; 焦深 (DOF);【例题】分辨率R及焦深DOF的关系; 解决方案：离轴照明（OAI）;二. 对准（Aligning）; 掩膜版上用于Stepper对准的套刻标记;两种误差类型;两种误差类型示意图;三. 产量（Yield）;11.6 光刻质量测量; 掩膜版检查;Leitz 显微镜检测台;;Hitachi 8860 --- CD SEM;11.6.3 对准检查 集成电路的整个工艺过程，有多层图形的叠加，每一层图形就要进行一次光刻，图形与图形之间都有相对位置