第2章可编程逻辑器件.pptx

第2章 可编程逻辑器件;☆ 数字电路系统分为组合电路和时序电路，均可由基本门构成。 ☆ 组合电路在逻辑上输出总是当前输入的函数； 时序电路的输出是当前系统状态与当前输入的函数，它含有存储元件。 ☆ 任何组合逻辑函数都可化为“与-或”表达式，从而都可用“与”门和“或”门来实现。 时序电路都可由组合电路加上存储元件（锁存器、触发器、RAM）构成。 由此，提出了乘积项逻辑可编程结构。;特点：结构简单。 后来，又根据ROM工作原理、地址信号和输出数据的关系，以及ASIC的门阵列法得到启发，构造出另一种可编程逻辑结构，即查找表逻辑。其逻辑函数采用RAM“数据”查找的方式，并使用多个查找表构成一个查找表阵列，称为可编程门阵列PGA（Programmable Gate Array）。;2.1.1 PLD的发展历程;2.1.2 PLD的种类及分类方法 ; FPGA（Field Programmable Gates Array） 分段式布线，延迟不可预测 CPLD（Complex Programmable Logic Device） 连续式布线，延迟可预测 ;熔丝（Fuse）型 反熔丝（Anti-fuse）型：如Actel公司的FPGA器件 EPROM（Erasable PROM）紫外线擦除，电可编程。 EEPROM（Electrically EPROM）可直接用电擦写 Flash型（闪存）：信息在一瞬间即可被存储。 SRAM型：编程速度、编程要求较低，被大部分FPGA 采用，如Xilinx和Altera公司的FPGA。;前五类编程元件为非易失性元件，编程后能使逻辑配置数据保持在器件上。 SRAM类为易失性元件，即每次掉电后逻辑配置数据会丢失，需专用配置元件。 熔丝型开关和反熔丝开关元件只能写一次；采用浮栅编程的EPROM、EEPROM、Flash元件和SRAM编程元件则可以进行多次编程。 反熔丝开关元件一般用在要求较高的军品系列（如通信卫星、航空电子仪器等）器件上，而浮栅编程元件一般用在民品系列器件上。 ;基于SRAM的器件;基于SRAM的器件;基于反熔丝的器件;基于反熔丝的器件; 基于E2PROM/Flash的器件; Flash-SRAM混合器件;基于EPROM的器件;2.1.3 可编程逻辑器件的发展趋势;2.2 简单PLD的原理;缓冲电路表示方法;与门表示法;或门表示法;PLD连接的表示法;2.2.1 可编程只读存储器PROM;PROM结构;PROM结构简化图; 与阵列输出为n个输入变量可能产生的全部最小项，即2n个最小项。或阵列是可编程的，每个或门有2n个输入可供选用，由用户编程来选定。所以，在PROM的输出端，输出表达式是最小项之和的标准与或式。  ;例1：用PROM设计一个π发生器，输入为4位二进制代码，输出为8421码。该电路串行产生常数π，若取小数点后15位，则π=3.141592653589793。 ;例2：用PROM设计一个全加器。 ;2.2.2 PLA结构;29;PLA应用 首先根据逻辑要求列出真值表，得出最简表达式；然后把真值表的输入作为PLA的输入，画出相应的阵列图。;W X Y Z;PROM和PLA的缺陷; PAL(Programmable Array Logic)是在ROM和PLA基础上发展起来的，它采用可编程的与阵列和固定的或阵列组成。;;例：用PAL实现组合逻辑函数。;36;存储器型PAL;38;组合PLD特点; GAL结构与PAL相同， 由可编程的与阵列去驱动一个固定的或阵列，其差别在于输出结构不同。寄存器型PAL的输出是一个有记忆功能的D触发器，而GAL器件的每一个输出端都有一个可组态的输出逻辑宏单元OLMC ( Output Logic Macro Cells)。 GAL采用高速的电可擦除的E2CMOS工艺，具有速度快、功耗低、集成度高等特点。;GAL和PAL在结构上的区别见下图：;（一）GAL器件结构和特点;2. GAL输出逻辑宏单元OLMC的组成;3. 输出逻辑宏单元OLMC组态;6、GAL编程与开发 除isp系列GAL可在系统编程，其他需专用编程器。 GAL的编程有相应的软件，可以用逻辑图的形式给出，也可 以用特定格式的表达式描述。无论用什么方式描述逻辑功能， 最终都要编译成对应交叉点通断的编程文件，最后用编程器写 入就可以了。 GAL设有加密位，加密后不能读出内部的编程状态。;7、GAL是继PAL之后具有较高性能的PLD，和PAL相比，具有以下特点：;GAL器件仍然存在着以下问题：;PAL和GAL的区别;2.3 大规模PLD内部资源;基于