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2011年01月;第三章 门电路;本章要点;§ 3.1 概述;获得高、低电平的基本原理; 在最初的数字逻辑电路中，每个门电路都是用若干个分立的半导体器件和电阻、电容连接而成的。用这种单元电路组成大规模的数字电路是非常困难的，这就严重地制约了数字电路的普遍应用。;高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 ;二极管的开关等效电路;　3.2.2 二极管与门;A;　3.2.3 二极管或门;A;一、MOS管的结构 ; 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） ;vDD;三、等效电路;四、MOS管的四种类型;3.3.2 CMOS反相器的电路结构工作原理;vi=0;vi= vDD;二、电压传输特性和电流传输特性;AB段：T2截止 漏极电流几乎为0;三、输入端噪声容限; CMOS电路的优点;一、输入特性;二、输出特性;27;3.3.4 CMOS反相器的动态特性;二、交流噪声容限 三、动态功耗;§ 3.3.5 其它类型的CMOS门电路;B;2. CMOS或非门;0;二. 带缓冲级的CMOS门电路;2、输出的高、低电平受输入端数目的影响。输入端数目越多，串联的驱动管数目也越多，输出低电平VOL也越高。而当输入全为低电平时，输入端越多负载管并联的数目越多，输出高电平VOH也更高。;带缓冲级的CMOS与非门电路;带缓冲级的CMOS或非门电路;三. 漏极开路的门电路（OD门）;A;四. CMOS传输门和双向模拟开关; 用途：;时，输出呈现高阻态。;…; 3.5.1 半导体三极管的开关特性; 2.三极管的开关等效电路;R1;vEE为负电源;Rc;VI;e;(v0);1、输入为低电平（0.2V）时;2、输入高电平（3.4V）时;AB段： VI 0.6V 　　 截止区 所以 VB1 1.3V，T2和T5截止 　　　　故输出为高电平VOH ;三、输入端噪声容限;3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性;-1.0 -0.5 0.5 1.0 1.5 2.0;+5V;　　受功耗的限制,７４系列门电路规定，输出为高电平时，最大负载电流不能超过0.4mA。;２.低电平输出特性;TTL反相器低电平输出等效电路;[例] 计算门G1最多可驱动多少个同样的门电路负载。;三、输入端负载特性;若RP较小，相当于输入一个低电平信号。 若RP较大，相当于输入一???高电平信号。;[例] 为保证门G1输出的高、低电平能正确地传送到门G2的输入端，要求vO1=VOH时vI2≥VIH(min), vO1=VOL时vI2≤ VIL(max)，试计算Rp的最大允许值是多少。已知G1 、 G2均为74系列反相器。;vO1=VOL ，Vi2 ≤ VIL(max)时;3.5.5 其他类型的TTL门电路;B;2. 或非门;或非门;3.与或非门;二. 集电极开路的与非门（OC门）; 集电极开路与非门(OC门）的电路和图形符号;0;所有OC门同时截止时， 输出为高电平。;计算OC门负载电阻最小值的工作状态;[例] 为电阻RL选定合适的阻值。 G1、G2为OC门，IOH = 200μA，ILM = 16mA G3、G4 和G5为74系列，IIL=200mA，IIH= 40μA 要求OC门输出的VOH ≥ 3.0V，VOL ≤ 0.4V。;选定的 RL值应在2.63kΩ 与0.35 kΩ 之间。;三、 三态门（TS);0;1;符号;3.5.6 TTL电路改进系列(74 、54）;二. 74S系列;54系列的TTL电路和74系列电路，具有完全相同的电路结构和电器性能参数。所不同的是54系列比74系列的工作温度范围更宽，电源允许的工作范围也更大。 74系列的工作环境温度规定为0~70℃， 电源电压工作范围为5V ± 5%； 54系列的工作环境温度为-55~+125 ℃ ， 电源电压工作范围为5V±10%。;第 三 章 结 束