低温共烧多层陶瓷电路设计规范.docVIP

低温共烧多层陶瓷电路设计规范 术语说明 后烧表面电阻 交错通孔 顶层 内埋电阻 内埋电容 内埋孔 内导带 导热孔 堆积孔 通孔间距 通孔直径 底层 材料系统 ●目前生产线上使用的LTCC材料组要有DuPont 951、Ferro –A6M、HL2000、DP9K7。 ●用于高频电路的低损耗微波LTCC介质带材料：Ferro –A6 、DP9K7。 导体材料根据客户需要采用全金系统和混合系统（外层是可以焊接的Pd/Ag、PtPdAu、PtAu等导体及可丝焊的金导体，内层是Ag导体）。 LTCC生瓷带介质材料特性见表1 表1、生瓷带介质材料数据 性质 DP951 DP9K7 Ferro –A6S/M 厚度1) （烧结前） 951 C2 50 951PX 254um 254um 127 um、187 um 烧结收缩率 （X、Y） 12.7±0.3% 9.1±0.3% 15.5±0.3% 烧结收缩率 （Z） 15±0.5% 11.8±0.5% 25±0.3% 介电常数 7.8（10MHz） 7.1(15G) 5.9（10MHz） 介质损耗 0.2%（10MHz） 0.0010 0.15%（10MHz） 绝缘电阻 ＞1012Ω（100VDC） 1012Ω（100VDC） ＞1014Ω（100VDC） 热导率 3W/mk 4.6W/mk 2W/mk 热胀系数 5.8ppm/K 4.4ppm/K 7.8ppm/K 烧结密度 3.1g/㎝ 3.1g 2.5g/㎝ 抗折强度 320MPa 230 MPa 130MPa 表2、导体材料性能 导体特性 陶瓷材料系统 Du Pont 951/9K7 陶瓷材料系统 Ferro A6 S/M 导体类型 内层 Ag, Au 外层Ag, Au, PdAg ,PtAu、PtPdAu 内层 Ag, Au 外层Ag, Au, PdAg, PtAu、PtPdAu 顶层导体膜厚(μm) 10 ± 3 10 ± 3 内层导体膜厚(μm) 7 to 15 ± 2 7 to 15 ± 2 电阻 mΩ?/ 顶层(10 μm) Au 4 Ag 3 AgPd 30 PtPdAu40 Au 4 Ag 3 AgPd 30 PtPdAu40 电阻 mΩ?/ 内层 Au 4 Ag 3 Au 4 Ag 3 顶层导体粗糙度 (Rq μm RMS) (后烧) Au: 0.8 Ag: 0.9 通孔 通孔尺寸 通孔尺寸为： 通孔尺寸 1 2 3 4 5 烧结前 100 um 150 um 200um 250um 300um 烧结后 87um 130 um 185um 220um 260um 通孔尺寸推荐与生瓷带厚度接近，推荐在各层中使用一种通孔尺寸，两种通孔尺寸在不同层中也是容许的。 通孔覆盖区 连接直径小于250um通孔的导带，应有一个圆形或方形通孔覆盖区，通常是：直径比通孔直径大50um，最优100um。后烧结表面导体通孔覆盖区直径要求≧400um。 通孔间距 最小通孔节距（中心距），同一层内应为2.5×通孔直径，两层间交错通孔错位为2×通孔直径，最小通孔中心距基板边沿距离应为3×通孔直径。 2．5×φvia 2×φvia 3×φvia 导体 F E C B A D G H 线宽、线间距 项目 标准 高密度 通孔覆盖区直径E(um) 250 100 导体间距B(um) 150 75 导体线宽A(um) 150 75 线到基板边缘距离D(um) 300 200 SMD焊区到导带距离(um) 200 100 SMD焊区到基板边缘距离H(um) 500 300 电阻 电阻可制作下列方阻 表面电阻 方阻 温度系数 稳定性 精度 10Ω ＜±200ppm ＜0.5% ＜±1 % 100 ＜±100ppm ＜0.5% ＜±1 % 1K ＜±100ppm ＜0.5% ＜±1 % 10K ＜±100ppm ＜0.5% ＜±1 % 100K ＜±100ppm ＜0.5% ＜±1 % 1M ＜±100ppm ＜0.5% ＜±1 % 方阻 温度系数 稳定性 精度 100Ω ＜±200ppm ＜0.5% ＜±30 % 1K